[发明专利]一种有源像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种有源像素结构，其特征在于，包括：NMOS器件和PMOS器件，其中，

所述NMOS器件在100晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上；

所述PMOS器件在110晶向或111晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上。

2.一种有源像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

将第一硅片和第二硅片的表面进行热氧化处理，其中，所述第一硅片和所述第二硅片的晶向不同；

将表面进行热氧化处理的所述第一硅片和所述第二硅片进行键合；

将所述第一硅片的一部分SOI层及埋氧层进行刻蚀；

将所述第二硅片进行外延生长，生长之后的所述第二硅片覆盖所述第一硅片被刻蚀的SOI层部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一硅片的晶向为100晶向，所述第二硅片的晶向为110晶向或111晶向，所述方法还包括：

将NMOS器件制作在所述第一硅片的SOI层上；

将PMOS器件制作在所述第二硅片的SOI层上。