[发明专利]气孔分布均匀、低介电损耗多孔铁电陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 201310442312.3 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN103553600A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 聂恒昌;董显林;陈学锋;王根水 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/491 | 分类号: | C04B35/491;C04B38/06;C04B35/622 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 气孔 分布 均匀 低介电 损耗 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种气孔分布均匀、低介电损耗的多孔锆钛酸铅陶瓷,其特征在于,所述铁电陶瓷的化学组成通式为Pb(ZrxTi1-x)O3,其中0.9≤x≤0.97,所述铁电陶瓷的气孔分布均匀不团聚,气孔大小为5~120μm,孔隙率为5~20%,介电损耗常数为1.5~1.8%。
2.根据权利要求1所述的多孔锆钛酸铅铁电陶瓷,其特征在于,所述铁电陶瓷的体积电阻率为1011~1013Ω·cm数量级。
3.根据权利要求1或2所述的多孔锆钛酸铅铁电陶瓷,其特征在于,所述铁电陶瓷的纵向压电常数为60~70 pC/N。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多孔锆钛酸铅铁电陶瓷,其特征在于,所述铁电陶瓷的断裂韧性为1.0~1.5 MPa·m1/2。
5.一种权利要求1至4中任一项所述的气孔分布均匀、低介电损耗的多孔锆钛酸铅铁电陶瓷的制备方法,其特征在于,包括:以按组成通式的化学计量比配料的Pb3O4、ZrO2和TiO2为原料制备锆钛酸铅粉体;将一定量的造孔剂在一定浓度的柠檬酸水溶液中溶解,搅拌均匀形成溶液A,将所述锆钛酸铅粉体在去离子水中形成溶液B,然后将溶液A与B混合、球磨后获得混合物C;然后将混合物C放在烘箱中烘干得到混合粉体,加入粘结剂,造粒、成型、烧结制得多孔锆钛酸铅陶瓷材料;以及将所述陶瓷材料被银、烧银并进行极化处理制得所述多孔锆钛酸铅铁电陶瓷;其中,所述造孔剂是在所述烧结过程中能够被烧尽从而形成气孔的物质。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述锆钛酸铅粉体由所述原料经混合细磨后利用固相反应法在800~900℃保温0.5~3小时合成。
7.根据权利要求5或6所述的制备方法,其特征在于,所述造孔剂包括聚甲基苯烯酸甲酯、淀粉、和/或碳粉。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述造孔剂为单分散或多分散,直径范围为5~120μm,其在所述混合粉体中的质量百分比为0~5wt%。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述溶液A的浓度为0.1~10%,锆钛酸铅粉体溶液B中,料和去离子水的质量比为1:(0.5~1.0),混合物C球磨时间为0.5~48小时,料球比为1:(0.5~1.5),所述球磨介质为钢球、氧化锆球或玛瑙球。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述烧结是在铅气氛下以1~2.5℃/min的速率升温至1200~1400℃,保温0.5~48小时。
11.根据权利要求5至10中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述烧银工艺为:以1~2.5℃/min的速率升温至650~750℃,保温10~100分钟。
12.根据权利要求5至11中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述极化处理工艺为:极化电场2~4 kV/mm,在硅油中保持电压5~30 分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310442312.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:种植牙用植入体
- 下一篇:给种植体植入孔初始孔内面边缘赋予凹凸形态的骨整形器