[发明专利]半导体激光二极管

权利要求书

1.半导体激光二极管，具有

－衬底（1），

－在衬底（1）上带有至少一个被设立用于生成激光光线（30）的有源层（3）的半导体层序列（2），所述激光光线（30）在运行中沿着辐射方向（50）被辐射，和

－至少一个滤波层（9），所述至少一个滤波层具有主延伸平面，该主延伸平面平行于有源层（3）的主延伸平面并且被设立用于散射和/或吸收除了激光光线（30）以外也在半导体层序列（2）和/或衬底（1）中传播的光。

2.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，其中滤波层（9）具有在衬底（1）的与半导体层序列（2）相对的侧上的粗糙部（10）。

3.根据权利要求2所述的半导体激光二极管，其中所述粗糙部（10）具有大于或等于1nm并且小于或等于30μm的平均粗糙度R_q。

4.根据权利要求2或3所述的半导体激光二极管，其中滤波层（9）具有在衬底（1）的与半导体层序列（2）相对的侧上的粗糙部（10）并且在该粗糙部（10）上具有吸收层（11）。

5.根据前述权利要求之一所述的半导体激光二极管，其中滤波层（9）具有至少一个吸收层（11，11'）。

6.根据权利要求4或5所述的半导体激光二极管，其中至少一个吸收层（11，11'）施加在衬底（1）的与半导体层序列（2）相对的侧上、衬底（1）内和/或衬底（1）与半导体层序列（2）之间。

7.根据权利要求4至6之一所述的半导体激光二极管，其中所述衬底（1）被构造为所述至少一个吸收层（11）。

8.根据权利要求4至7之一所述的半导体激光二极管，其中所述至少一个吸收层（11，11'）在半导体层序列（2）中布置在衬底（1）与有源层（3）之间。

9.根据权利要求4至8之一所述的半导体激光二极管，其中所述至少一个吸收层（11，11'）在半导体层序列（2）中布置在有源层（3）的与衬底（1）相对的侧上。

10.根据权利要求4至9之一所述的半导体激光二极管，其中存在至少两个吸收层（11，11'）。

11.根据权利要求10所述的半导体激光二极管，其中所述至少两个吸收层（11，11'）构造为不同的。

12.根据权利要求4至11之一所述的半导体激光二极管，其中所述至少一个吸收层（11，11'）在沿着辐射方向（50）的方向上和/或垂直于辐射方向（50）地被结构化。

13.根据权利要求12所述的半导体激光二极管，其中存在至少两个在子区域中经结构化的吸收层（11，11'）并且这些子区域彼此错开地布置。

14.根据权利要求4至13之一所述的半导体激光二极管，其中所述至少一个吸收层（11，11'）布置在衬底模（31）的最大值处。

15.根据权利要求4至14之一所述的半导体激光二极管，其中所述至少一个吸收层（11，11'）具有大于或等于100cm^-1的吸收系数。

16.根据权利要求4至15之一所述的半导体激光二极管，其中所述至少一个吸收层（11，11'）具有大于或等于1nm并且小于或等于200μm的厚度。

17.根据权利要求4至16之一所述的半导体激光二极管，其中吸收层（11，11'）具有大于或等于衬底折射率的70％的折射率。

18.根据权利要求4至17之一所述的半导体激光二极管，其中为了构成所述至少一个吸收层（11，11'）通过扩散或植入嵌入一种或多种选自N、P、O、Mg、Si、Ge、B、H的材料。

19.根据权利要求4至18之一所述的半导体激光二极管，其中所述至少一个吸收层（11，11'）外延地生长，具有一种或多种选自AlInGaN、AlInGaAs、AlInGaP、Si、Ge、ZrO、ZnO、ZnSe、CdTe的材料。

20.根据权利要求4至19之一所述的半导体激光二极管，其中所述至少一个吸收层（11，11'）具有通过蒸镀、喷溅、化学气相沉积、离子电镀和/或原子层沉积所施加的材料，所述材料选自AlInGaN、Si、Ge、铟锡氧化物、Ni、Cr、Ti、Nb、Pd、Pt、Au、Ag、Cu、Al、ZnO、TiWN。