[发明专利]一种Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池有效
申请号: | 201310443618.0 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN103456888A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 杨利营;印寿根;秦文静;唐彤;左红文;郑克宁;于景景;张颖;刘巍嵩;李海林;邹亚伟 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300384 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cs 掺杂 zno 电子 传输 太阳能电池 | ||
1.一种以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池,其特征在于:由透明导电玻璃衬底、电子传输层、层状类钙钛矿杂化材料、空穴传输层和Au金属背电极层组成并依次构成叠层结构。
2.根据权利要求1所述以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池,其特征在于:所述透明导电玻璃衬底是以铟锡氧化物、掺杂氟的SnO2或掺Al的氧化锌为导电层的导电玻璃。
3.根据权利要求1所述以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池,其特征在于:所述电子传输层为Cs掺杂ZnO纳米棒,掺杂浓度在0.1-2.0 mol%,控制掺杂浓度可改变ZnO的导电性,电子传输层厚度为100-200nm。
4.根据权利要求1所述以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池,其特征在于:所述层状类钙钛矿杂化材料为CH3NH3PbX3,式中X为Cl、Br或I;层状类钙钛矿杂化材料CH3NH3PbX3的厚度为100-1000nm。
5.根据权利要求1所述以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池,其特征在于:所述空穴传输层为2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴,空穴传输层的厚度为40-60nm。
6.根据权利要求1所述以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池,其特征在于:所述Au金属背电极层的厚度为70nm。
7.一种如权利要求1所述以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将FTO玻璃衬底切割成所需的20mm×20mm,用洗洁精和去离子水洗涤15分钟,以便去除油脂和有机物,然后依次用丙酮、异丙醇、去离子水超声洗涤15 分钟,最后将将衬底放入烘箱烘干待用;
2)将二水合乙酸锌和乙二醇甲醚混合,然后滴加乙醇胺作为稳定剂,配制Zn2+浓度为0.2mol/L的ZnO种子层溶液;将锥形瓶用保鲜膜密封,放置磁力搅拌器上,搅拌30分钟,然后将充分搅拌的ZnO种子层溶液放入电热鼓风干燥箱中进行熟化,熟化温度60℃,熟化时间为2小时;将熟化后的种子层溶液放置降至室温,在衬底上进行旋涂成膜,旋涂一次后,将衬底放置300℃马弗炉中退火,10分钟后取出置于空气中冷却,再进行第二次旋涂种子层,然后将衬底放置在500℃马弗炉中退火,时间为1小时,最后分别使用去离子水和无水乙醇超声清洗退火后带有ZnO种子层的衬底15分钟,以去除表面多余的离子,烘干后制得ZnO种子层;
3)将无水乙酸锌和乙酸铯溶解在水中,加入美国杜邦出产的表面活性剂 zonyl FS-300,磁力搅拌30分钟,制得生长液;将带有种子层的玻璃衬底倾斜放置四氟反应釜内胆里,生长面朝下,加入配制好的生长液,生长ZnO纳米棒,生长温度为80℃,生长时间2小时,反应结束后,用去离子水清洗并置于140℃马弗炉中退火30min,制得Cs掺杂ZnO纳米棒作为电子传输层;
4)室温下在手套箱中将CH3NH3I和PbI2溶解在γ-丁内酯溶剂中得到混合液,然后利用匀胶机将混合液旋涂在电子传输层上,在100℃下热处理15min以除去残余的溶剂,制得层状类钙钛矿杂化材料为CH3NH3PbI3;
5)将浓度为0.06M 的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴溶解在氯苯溶液中,通过溶液旋涂的方法旋涂在层状类钙钛矿杂化材料CH3NH3PbI3 上,制得空穴传输层;
6)在3×10-4Pa真空条件下采用热蒸镀法蒸镀70nm Au背电极,制得杂化太阳能电池。
8.根据权利要求7所述以Cs掺杂ZnO为电子传输层的杂化太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述二水合乙酸锌、乙二醇甲醚与乙醇胺的用量比为0.878g:20mL:120 uL。
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