[发明专利]一种PDP屏充气方法及基于该方法的等离子显示屏

说明书

技术领域

本发明涉及一种PDP屏充气方法及基于该方法的等离子显示屏，特别是涉及气体放电器件如等离子显示面板（PDP）等生产技术领域。

背景技术

在等离子显示面板（PDP）的制造过程中，在封排炉中完成对 PDP 面板的封接、抽真空排气并充以潘宁放电气体是 PDP 关键制程之一。现有的封排充气技术是在 PDP 面板完成封接、持续真空烘烤排气并降温至室温后充入潘宁放电气体。在此过程中，真空内的残余气体对PDP材料造成一定污染。

气体的脱附与吸附是一种真空物理现象，当材料在真空中加热时，材料表面及材料内部的气体分子会脱附并逸出到真空中，脱附的气体与材料表面积成正比。按PDP 面板封排制程技术要求，PDP须在封排炉中经历 400℃～500℃的加热、保温、冷却至室温的处理过程，在高真空状态下，在此工艺过程中必然产生PDP材料在烘烤过程中的放气，以及降温过程中屏内的气体吸附。

在PDP升温排气时，PDP内部材料气体脱附大于吸附，放气和与真空系统的极限真空度达到动态平衡。

同时，某些材料如MgO在真空中还发生化学平衡反应：

MgCO₃=MgO+CO₂

Mg(OH)₂=MgO+H₂O

在降温至室温的过程中，气体分子的吸附量大于脱附量，所以导致系统真空度升高。

然而，当器件温度从室温重新开始上升至器件极限工作温度（通常约60℃～80℃）时，这些在原降温段吸附的杂质气体即会重新释放出来。导致放电着火电压升高，斑纹等现象。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种工作气体充气方法和基于该充气方法的等离子显示屏以改善现有等离子显示技术中存在的残余气体污染、放电电压高的问题。

本发明采用的技术方案如下：一种PDP屏充气方法，其具体方法为：在封排降温段，当气体放电器件温度降到50℃～200℃时，对气体放电器件内充入潘宁放电气体。

作为优选，根据公式P=k×P₀ 计算补偿压力值，充入潘宁放电气体，直至压力达到P；其中，P₀为常温下的潘宁气体充气压力，k为充气开氏温度与室温开氏温度的比值。

基于上述充气方法的等离子显示屏，其特征在于：包括上基板，沿上基板下表面延伸的PDP放电电极，依次覆盖在上基板及PDP放电电极上的介质层和介质保护层，下基板；所述下基板上设置有与PDP放电电极垂直设置的寻址电极、与寻址电极平行设置的障壁及荧光粉；上基板或下基板的边缘涂覆有封接材料。

作为优选，所述封接材料为低熔点玻璃。

作为优选，下基板与上基板相对封接形成多个放电单元。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：改善了屏内残余气体成分，使得着火电压降低，放电效率提高；采用本发明中的潘宁气体高温充气方法与常规方法相比，PDP屏具有较低的电压、较高的光效，以及更优的放电均匀性。

附图说明

图1为真空中材料受热的放气特性的示意图。

图2为PDP封排烘烤温度、真空度及常规充气及本发明其中一实施例的充气条件的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本说明书中公开的所有特征，除了互相排除的特征以外，均可以以任何方式组合。

本说明书（包括任何附加权利要求、摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。

一种PDP屏充气方法，其具体方法为：在封排降温段，当气体放电器件经高温烘烤后温度降到50℃～200℃时，对气体放电器件内充入潘宁放电气体。

其中所述200℃上限可根据实际气体放电器件的材料特性允许温度进行提高。

在PDP的封排过程中，在对PDP进行充分的高温烘烤排气后，当温度降低到50℃～200℃时，以一定的速率充入潘宁工作气体，然后进行封离，则PDP内材料原在此温度降温至室温段所吸附的杂质气体将由潘宁放电气体取代，产生气体“饱和”效应。再升温时，材料重新脱附的气体中杂质含量减少，将改善屏内残余气体成分，使得着火电压降低，放电效率提高。