[发明专利]响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极及其制备方法有效
申请号: | 201310444406.4 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN103489935A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 张延宗;母康生;吴凌姗;李非;杨刚;黄成毅;邓仕槐;沈飞;彭宏;李黎 | 申请(专利权)人: | 四川农业大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;C25D11/26 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 管高峰;吴彦峰 |
地址: | 625014 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 响应 可见 光和 红外光 掺杂 氧化 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极,其特征在于:所述氮掺杂二氧化钛光电极在紫外可见吸收光谱图中最大吸收值为1769nm,对太阳光的吸收到达近红外区域。
2.一种响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极的制备方法,其特征在于依次包括以下步骤:
(1)钛基底预处理;
(2)电解液的配置:电解液由5~30wt%的去离子水、5~30wt%的硝酸和其余为乙二醇相混合而成;
(3)将钛片作为阳极、铂片作为阴极置于电解液中,于直流电压为15~100V下阳极氧化20~120min,阳极氧化过程在室温下进行,然后清洗、干燥;
(4)将上述钛片光电极煅烧1~5h,温度为350~650℃,并随后取出冷却,即得到响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极。
3.如权利要求2所述的响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极的制备方法,其特征在于依次包括以下步骤:
(1)钛基底预处理;
(2)电解液的配置:电解液由10~20wt%的去离子水、10~20wt%的硝酸和其余为乙二醇相混合而成;
(3)将钛片作为阳极、铂片作为阴极置于电解液中,于直流电压为15~100V下阳极氧化20~120min,阳极氧化过程在室温下进行,然后清洗、干燥;
(4)将上述钛片光电极煅烧1~5h,温度为350~650℃,并随后取出冷却,即得到响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极。
4.如权利要求3所述的响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极的制备方法,其特征在于依次包括以下步骤:
(1)钛基底预处理;
(2)电解液的配置:电解液由10~20wt%的去离子水、10~20wt%的硝酸和其余为乙二醇相混合而成;
(3)将钛片作为阳极、铂片作为阴极置于电解液中,于直流电压为30~60V下阳极氧化50~90min,阳极氧化过程在室温下进行,然后清洗、干燥;
(4)将上述钛片光电极煅烧1~5h,温度为350~650℃,并随后取出冷却,即得到响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极。
5.如权利要求4所述的响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极的制备方法,其特征在于依次包括以下步骤:
(1)钛基底预处理;
(2)电解液的配置:电解液由10~20wt%的去离子水、10~20wt%的硝酸和其余为乙二醇相混合而成;
(3)将钛片作为阳极、铂片作为阴极置于电解液中,于直流电压为30~60V下阳极氧化50~90min,阳极氧化过程在室温下进行,然后清洗、干燥;
(4)将上述钛片光电极煅烧2~4h,温度为400~600℃,并随后取出冷却,即得到响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极。
6.如权利要求2、3、4或5所述的响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极的制备方法,其特征在于:所述钛基底预处理为将钛片依次进行化学抛光和脱脂处理。
7.如权利要求6所述的响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极的制备方法,其特征在于:所述化学抛光为将纯度>99.9%的钛片置于由5~35vol%的氢氟酸、35~65vol%的硝酸和其余为去离子水相混合而成的抛光液中抛光10~30s。
8.如权利要求7所述的响应可见光和红外光的氮掺杂二氧化钛光电极的制备方法,其特征在于:所述脱脂处理为将钛片分别在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声15min,超声功率720W,再用去离子水反复冲洗,烘干。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川农业大学,未经四川农业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310444406.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的