[发明专利]包括不对称硅化物结构的场效应晶体管及相关器件

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

在所述场效应晶体管的源极上的第一硅化物层，所述第一硅化物层与所述场效应晶体管的栅极分离；

在所述场效应晶体管的漏极上的第二硅化物层，所述第二硅化物层与所述栅极分离；以及

在所述第一硅化物层和所述第二硅化物层中的每一个上的至少一个接触层，

其中，调节所述第一硅化物层和所述第二硅化物层中的至少一个的长宽比，使得所述第一硅化物层和所述第二硅化物层彼此不对称。

2.权利要求1的场效应晶体管，其中，调节所述第一硅化物层和所述第二硅化物层中的至少一个的长宽比，使得所述第一硅化物层的面对所述栅极的表面的面积小于所述第二硅化物层的面对所述栅极的表面的面积。

3.权利要求1的场效应晶体管，其中，调节所述第一硅化物层和所述第二硅化物层中的至少一个的长宽比，使得所述第一硅化物层的面对所述栅极的表面的面积大于所述第二硅化物层的面对所述栅极的表面的面积。

4.权利要求2的场效应晶体管，其中，所述第一硅化物层的横向长度比所述第二硅化物层的横向长度更短，并且所述第一硅化物层的纵向长度等于所述第二硅化物层的纵向长度。

5.权利要求3的场效应晶体管，其中，所述第一硅化物层的横向长度比所述第二硅化物层的横向长度更长，并且所述第一硅化物层的纵向长度等于所述第二硅化物层的纵向长度。

6.一种存储器件，包括：

存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及

外围电路，其配置成访问所述存储器单元，

其中，每个存储器单元包括多个场效应晶体管，并且

每个所述场效应晶体管包括：

在所述场效应晶体管的源极上的第一硅化物层，所述第一硅化物层与所述场效应晶体管的栅极分离；

在所述场效应晶体管的漏极上的第二硅化物层，所述第二硅化物层与所述栅极分离，所述第二硅化物层相对于所述栅极的面积与所述第一硅化物层相对于所述栅极的面积具有非对称关系；以及

位于所述第一硅化物层和所述第二硅化物层中的每一个上的至少一个接触件。

7.权利要求6的存储器件，其中，调节所述第一硅化物层和所述第二硅化物层中的至少一个的长宽比，使得所述第一硅化物层的面对所述栅极的表面的面积大于所述第二硅化物层的面对所述栅极的表面的面积。

8.权利要求7的存储器件，其中，所述第一硅化物层的横向长度比所述第二硅化物层的横向长度更长，并且所述第一硅化物层的纵向长度等于所述第二硅化物层的纵向长度。

9.权利要求6的存储器件，其中，每个存储器单元包括：

第一反相器，其包括至少两个所述场效应晶体管；

第二反相器，其包括至少两个所述场效应晶体管，并且所述第二反相器与所述第一反相器交叉耦合；以及

分别与所述第一反相器和所述第二反相器连接的一对字线传输晶体管，用以在所述第一反相器与所述第二反相器之间读和写数据位。

10.权利要求9的存储器件，其中，每个存储器单元还包括：

读晶体管，其配置成当使能读字线时从预充电读位线吸引读电流；以及

读驱动晶体管，其配置成在所述第一反相器与所述第二反相器之间生成所述读电流，

所述第一反相器、所述第二反相器以及所述一对字线传输晶体管连接在一对写位线之间，并且

所述一对字线传输晶体管连接到写字线。

11.权利要求9的存储器件，其中，所述第一反相器和所述第二反相器中的每一个包括：

所述多个场效应晶体管中的一个场效应晶体管，该场效应晶体管为P型；以及

所述多个场效应晶体管中的一个场效应晶体管，该场效应晶体管为N型，与所述P型场效应晶体管串联连接，并且与所述P型场效应晶体管的栅极共享输入信号。

12.权利要求6的存储器件，其中，所述存储器件包括静态随机存取存储器器件。