[发明专利]一种AlB2型WB2硬质涂层及其制备工艺在审
申请号: | 201310445407.0 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN104513954A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 裴志亮;蒋春磊;刘艳明;华伟刚;刘山川;赵明;杨文进;高超;祖亚培;陈育秋;宫骏;孙超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 alb2 wb2 硬质 涂层 及其 制备 工艺 | ||
1.一种AlB2型WB2硬质涂层,其特征在于:所述AlB2型WB2硬质涂层沉积在高速钢或硬质合金基材表面,涂层与基材的结合力大于50N,涂层硬度≥40GPa。
2.根据权利要求1所述的AlB2型WB2硬质涂层,其特征在于:涂层厚度为1~3μm,涂层的平均摩擦系数为~0.23,磨损率为6.5x10-6mm3N-1m-1。
3.根据权利要求1所述的AlB2型WB2硬质涂层的制备工艺,其特征在于:该工艺是选择WB2型WB2为靶材,采用直流磁控溅射技术在基材表面沉积AlB2型WB2涂层。
4.根据权利要求3所述的AlB2型WB2硬质涂层的制备工艺,其特征在于:该工艺包括如下步骤:
(1)预处理过程:沉积前需对基材进行预处理,具体为:将基材打磨至Ra=0.4μm,然后先用丙酮超声清洗15min,再用酒精漂洗后烘干;待真空室内真空度达到5×10-3Pa~1×10-2Pa时,先通入氩气,气压控制在0.5~2Pa之间,然后开启基体偏压至-100V~-300V范围,使气体发生辉光放电,对基材进行辉光清洗5~15分钟;
(2)采用直流磁控溅射技术沉积WB2涂层,工艺参数为:靶基距50~100mm,设定气压为0.2-0.8Pa,靶电压300~400V,电流0.5~1.5A,基体偏压为0~-300V,占空比20~40%,沉积温度100~700℃。
(3)沉积结束后,停止通入氩气,关闭基体偏压电源,关闭溅射电源开关,继续抽真空,样品随炉冷却至50℃以下,将样品从炉内取出。
5.根据权利要求4所述的AlB2型WB2硬质涂层的制备工艺,其特征在于:步骤(2)中,根据所需涂层厚度设定沉积时间。
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