[发明专利]聚烯烃类树脂多层发泡片材有效

专利信息
申请号: 201310446258.X 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN103707600B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 青木健;西本敬 申请(专利权)人: 株式会社JSP
主分类号: B32B27/18 分类号: B32B27/18;B32B27/32
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 谢顺星,张晶
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 烯烃 树脂 多层 发泡
【说明书】:

技术领域

本发明涉及聚烯烃类树脂多层发泡片材,具体涉及能够适宜用作玻璃基板、面板等电子精密机器的衬纸、隔离件、包装材料等的聚烯烃类树脂多层发泡片材。

背景技术

聚烯烃类树脂多层发泡片材因其柔软而缓冲性优异,并且具有防水性、防潮性、耐热性,一直以来用作各种缓冲材料、包装材料的原材料。作为玻璃基板、面板用衬纸时,可广泛使用抗静电性发泡片材以防止灰尘附着、抗静电。以往,将发泡片材用于玻璃基板、面板的衬纸时,使用表面活性剂类型的抗静电剂。但是,以往的发泡片材存在如下问题,即在湿度低的环境下不能发挥抗静电效果,抗静电剂转移到被包装物上,在湿度较高的环境下,使被包装物表面发粘,引起被包装物表面污染。针对这个问题,如专利文献1、2所记载,开发了一种通过使用高分子型抗静电剂发挥优异抗静电效果,进而防止抗静电剂转移污染被包装物的技术。

专利文献1公开了一种制备抗静电性发泡片材的方法,其共挤并层积含有高分子型抗静电剂的聚烯烃类树脂层形成用树脂熔融物与含有发泡剂的聚烯烃类树脂发泡层形成用树脂熔融物,并使含有抗静电剂的聚烯烃类树脂层为表面,其向所述树脂层形成用熔融物中添加挥发性增塑剂来提高所述树脂层形成用熔融物的熔融拉伸率。

专利文献2公开了一种发泡片材,其在聚烯烃类树脂发泡层的至少一个面上,形成单位面积重量为0.1~20g/m2的包含高分子型抗静电剂的聚烯烃类树脂层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利公开公报2004-181933号

专利文献2:日本专利公开公报2005-074771号

发明内容

发明要解决的技术问题

在上述发泡片材中以高分子型抗静电剂为抗静电剂的情况下,与表面活性剂类型的抗静电剂相比,对被包装物的转移污染大大减少,但是在高温多湿的使用环境下,有时发生对被包装物的转移污染。此外,根据用途需要进一步提高抗静电性能,需要增加高分子型抗静电剂的添加量,但是在这种情况下,必然会增加对被包装物的转移污染,因此需要更进一步改善。

本发明是鉴于上述实际情况而完成的,本发明的目的在于,提供一种聚烯烃类树脂多层发泡片材,其柔软性及缓冲性优异,并且抗静电性能优异,此外,还可大幅改善对被包装物的迁移污染。

解决技术问题的手段

本发明人等为了解决上述问题进行了深入研究,结果发现,通过以一定比例向加入有高分子型抗静电剂的抗静电层中加入特定填料,可大幅改善高分子型抗静电剂对被包装物的转移污染,进而完成了本发明。

即,本发明以下述(1)~(6)所记载的内容为要点。

(1)一种聚烯烃类树脂多层发泡片材,其在聚烯烃类树脂发泡层的至少一个面上具有含有聚烯烃类树脂(A)和高分子型抗静电剂(B)的抗静电层,其表观密度为15~150kg/m3,其特征在于,

(i)在所述抗静电层中加入填料(C),

(ii)所述抗静电层中的高分子型抗静电剂(B)的加入量X为5~80质量%,填料(C)的加入量Y为2~25质量%,聚烯烃类树脂(A)的加入量Z为10质量%以上(X、Y、Z的总量为100质量%),

(iii)所述抗静电层中填料(C)的加入量Y相对于高分子型抗静电剂(B)的加入量X的比Y/X为0.05~2.0。

(2)根据(1)所述的聚烯烃类树脂多层发泡片材,其特征在于,填料(C)是无机填料。

(3)根据(1)或(2)所述的聚烯烃类树脂多层发泡片材,其特征在于,所述高分子型抗静电剂(B)的加入量X为40~80质量%。

(4)根据(1)~(3)中任意一项所述的聚烯烃类树脂多层发泡片材,其特征在于,所述抗静电层的单位面积重量α为0.2~10g/m2

(5)根据(1)~(4)中任意一项所述的聚烯烃类树脂多层发泡片材,其特征在于,填料(C)的平均一次粒径为2~50μm。

(6)根据(1)~(5)中任意一项所述的聚烯烃类树脂多层发泡片材,其特征在于,填料(C)为选自滑石、碳酸钙、二氧化硅、云母、氧化钛中的至少一种。

(7)根据(1)~(6)中任意一项所述的聚烯烃类树脂多层发泡片材,其特征在于,所述抗静电层的单位面积重量(α)为0.5~8g/m2

(8)根据(1)~(7)中任意一项所述的聚烯烃类树脂多层发泡片材,其特征在于,填料(C)的加入量Y相对于所述抗静电层的单位面积重量α的比Y/α为1.6以上。

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