[发明专利]一种显示装置、阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。

背景技术

液晶显示作为一种重要的平板显示方式，近十多年有了飞速的发展。液晶显示有轻、薄、低能耗等优点，被广泛应用与电视、计算机、手机、数码相机等现代化信息设备。近年来，氧化物薄膜晶体管（Oxide TFT）因迁移率高备受业界关注。氧化物因较高的迁移率可减小薄膜晶体管尺寸，提升分辨率。提升分辨率同时需减小源漏电极线的宽度，但这样导致金属线容易发生断线现象。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，以克服现有技术中源漏电极线电阻值较大且容易发生断线的缺陷。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明一方面提供一种阵列基板，包括：氧化物有源层，所述氧化物有源层包括未经过金属化处理过的半导体区域和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域。

优选地，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层和源漏电极层，

所述半导体区域和刻蚀阻挡层的位置相对应；

所述金属氧化物导体区域与所述源漏电极位置相对应。

优选地，所述阵列基板还包括栅极、栅极绝缘层、像素电极层和钝化层。

优选地，所述氧化物有源层包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一种。

另一方面，本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

形成氧化物有源层的图案，所述氧化物有源层的图案包括未经过金属化处理过的半导体区域的图案和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域的图案。

优选地，所述制作方法还包括：

形成刻蚀阻挡层的图案；

将氧化物有源层中未被刻蚀阻挡层覆盖的部分进行金属化处理，形成金属氧化物导体区域，而被刻蚀阻挡层覆盖未进行金属化处理的部分形成半导体区域；

通过构图工艺同时形成源漏电极的图案和金属氧化物导体区域的图案；其中，所述金属氧化物导体区域的图案与源漏电极的图案位置相对应。

优选地，所述氧化物有源层包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一种。

优选地，所述金属化处理具体为：在100-300℃的还原性气氛中处理30-120min。

优选地，所述还原性气氛包括氢气或含氢等离子体。

再一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

（三）有益效果

本发明实施例通过将氧化物有源层中的部分区域形成金属氧化物导体层，由于金属氧化物导体层具有导体特征，可有效减小源漏电极层的电阻且最大程度降低源漏电极发生断线的几率。

附图说明

图1为本发明实施例阵列基板结构平面图；

图2为本发明实施例阵列基板中栅极完成后的截面图；

图3为本发明实施例阵列基板中刻蚀阻挡层制作完成后截面图；

图4为本发明实施例阵列基板中数据线层制作完成后截面图；

图5为本发明实施例阵列基板中过孔工艺制作完成后截面图；

图6为本发明实施例阵列基板中像素电极工艺制作完成后整个阵列基板截面图；

图7为本发明实施例阵列基板制作方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例一

本实施例中提供一种阵列基板，该阵列基板以底栅结构为例进行说明。

如图1和图6所示，该阵列基板包括基板0，在基板0上设有栅极11、栅极绝缘层21、氧化物有源层、刻蚀阻挡层23、源漏电极层31、钝化层41和像素电极层51；所述钝化层41上设有过孔42，像素电极层51通过过孔42与漏电极连接。

所述氧化物有源层包括未经过金属化处理过的半导体区域22和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域24；

所述半导体区域22和刻蚀阻挡层23的位置相对应；

所述金属氧化物导体区域24与源漏电极31的位置相对应，且位于源漏电极31的下方。

其中，氧化物有源层包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一种。当然，该氧化物有源层的材质除了列举出来的几种，也可以为与上述材料具有相同或相似特征的其他材料。