[发明专利]一种可动态配置RAM资源池的多通道芯片

权利要求书

1.一种可动态配置RAM资源池的多通道芯片，其特征在于，包括芯片多路接收模块、芯片多路发送模块、两个多路选择模块、地址译码器模块、资源池配置模块和双口RAM资源模块，双口RAM资源模块中包括多个双口存储器，芯片多路接收模块和芯片多路发送模块分别通过一个多路选择模块与双口RAM资源模块连接，地址译码器模块与双口RAM资源模块连接，资源池配置模块分别与地址译码器模块、双口RAM资源模块、芯片多路接收模块和芯片多路发送模块连接，芯片多路接收模块接收芯片外部数据并通过多路选择模块写入双口RAM资源模块中，芯片多路发送模块通过多路选择模块从双口RAM资源模块中读取数据向芯片外部发送，两个多路选择模块根据资源配置模块中的配置信息选择双口RAM资源模块中相应存储器的A口或B口进行读写操作，资源池配置模块存储配置信息并传输配置信息到多路选择模块，地址译码器将以通道地址为基准的CPU读写指令，根据资源池配置模块中的配置信息，转换为内部以存储器为基准的读写指令，实现对通道对应的存储器的读写。

2.根据权利要求1所述的可动态配置RAM资源池的多通道芯片，其特征在于，所述芯片多路接收模块具有N个接收通道，每个接收通道配置2个双口存储器。

3.根据权利要求2所述的可动态配置RAM资源池的多通道芯片，其特征在于，所述芯片多路发送模块具有2N个发送通道，每个发送通道配置1个双口存储器。

4.根据权利要求3所述的可动态配置RAM资源池的多通道芯片，其特征在于，所述资源池配置模块包括N个接收通道的RAM资源配置寄存器，2N个发送通道的RAM资源配置寄存器和2N个读写选择配置寄存器，N个接收通道的RAM资源配置寄存器与芯片多路接收模块具有N个接收通道对应连接，2N个发送通道的RAM资源配置寄存器与芯片多路发送模块具有2N个发送通道对应连接，2N个读写选择配置寄存器对地址译码器连接。

5.根据权利要求4所述的可动态配置RAM资源池的多通道芯片，其特征在于，所述与芯片多路接收模块连接的多路选择模块包括2N个第一层多路选择器，2N个第二层多路选择器，2N个第一层多路选择器与2N个第二层多路选择器分别连接，第一层多路选择器将数据发送到第二层多路选择器，第二层多路选择器将数据写入双口RAM资源模块中对应的存储器中。

6.根据权利要求1所述的可动态配置RAM资源池的多通道芯片，其特征在于，双口RAM资源模块还包括读写冲突预防模块。