[发明专利]存储器件以及存储器件和存储系统的操作方法有效
申请号: | 201310446955.5 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN104103320B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 尹贤洙;权奇昌 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C29/44 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 器件 以及 存储系统 操作方法 | ||
1.一种存储器件的操作方法,包括以下步骤:
进入修复模式;
接收激活命令和故障地址,并且将接收的命令和地址暂时储存到暂时储存单元中;
接收写入命令,并且判定是否执行编程操作;
当判定出要执行所述编程操作时,将暂时储存的故障地址编程到可编程储存单元中;以及
在所述暂时储存的故障地址的编程完成之前,接收预充电命令。
2.如权利要求1所述的操作方法,还包括在接收所述预充电命令之后接收刷新命令。
3.如权利要求1所述的操作方法,还包括:在判定是否执行所述编程操作之前,检查至少一个数据焊盘的逻辑状态。
4.如权利要求1所述的操作方法,还包括在所述暂时储存的故障地址的编程完成之后退出所述修复模式。
5.如权利要求1所述的操作方法,还包括:在所述暂时储存的故障地址的编程之后,验证所述暂时储存的故障地址的编程是否被正确地执行。
6.如权利要求1所述的操作方法,其中,所述暂时储存的故障地址的编程响应于所述预充电命令的施加而开始。
7.如权利要求1所述的操作方法,其中,所述可编程储存单元包括E-熔丝阵列电路。
8.一种存储器件,包括:
命令输入单元,所述命令输入单元适用于接收多个命令;
地址输入单元,所述地址输入单元适用于接收多个地址位;
数据输入单元,所述数据输入单元适用于接收多个数据;
命令译码器,所述命令译码器适用于:将所述多个命令译码,并且产生内部激活命令、内部模式设定命令、内部写入命令、内部预充电命令、内部刷新命令以及内部读取命令;
模式译码器,所述模式译码器适用于通过利用所述内部模式设定命令和所述地址位作为模式设定码来产生修复模式信号;
暂时储存单元,所述暂时储存单元适用于:当所述内部激活命令和所述修复模式信号被激活时,将所述地址位作为故障地址暂时储存;
控制单元,所述控制单元适用于响应于所述内部写入命令和所述修复模式信号的激活而判定是否执行编程操作;以及
可编程储存单元,当所述控制单元判定出执行所述编程操作时,暂时储存的故障地址适用于被编程到所述可编程储存单元中。
9.如权利要求8所述的存储器件,其中,在所述控制单元判定出执行所述编程操作之后,当所述内部预充电命令被激活时,所述编程操作开始。
10.如权利要求8所述的存储器件,还包括:
存储体激活电路,所述存储体激活电路适用于通过利用存储体信息、所述内部激活命令以及所述内部预充电命令来产生与多个存储体分别相对应的存储体激活信号;
空闲信号发生单元,所述空闲信号发生单元适用于产生空闲信号,所述空闲信号当所述存储体激活信号全部被去激活时而被激活;以及
刷新电路,所述刷新电路适用于响应于所述内部刷新命令和所述空闲信号的激活而控制刷新操作。
11.如权利要求8所述的存储器件,其中,所述控制单元适用于在判定是否执行所述编程操作之前来检查所述数据的值。
12.如权利要求11所述的存储器件,其中,在所述内部写入命令被激活之后经过写入延迟WL时,当所述数据全部具有逻辑低电平的值时,所述控制单元判定出执行所述编程操作。
13.如权利要求8所述的存储器件,其中,所述可编程储存单元包括E-熔丝阵列电路。
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