[发明专利]半导体功率转换器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体功率转换器，其特征在于，所述半导体功率转换器包括：

第一电导体，所述第一电导体包括第一连结面和第一底面，所述第一底面与所述第一连结面垂直；

第二电导体，所述第二电导体包括第二连结面和第二底面，所述第二连结面与所述第一连结面平行地相对，所述第二底面设置成与所述第二连结面垂直并且与所述第一底面齐平；

板状的第一半导体元件，所述第一半导体元件在其正面和反面上包括不同的电极，所述电极中的一个通过第一连接本体连结到所述第一电导体的第一连结面并且与所述第一连结面平行地布置；

板状的第二半导体元件，所述第二半导体元件在其正面和反面上包括不同的电极，所述电极中的一个通过第二连接本体连结到所述第一电导体的第一连结面并且与所述第一连结面平行地布置；

第一凸电导体，所述第一凸电导体通过第三连接本体连结到所述第一半导体元件的另一个电极，并且包括朝向所述第二连结面突出的突起；

第二凸电导体，所述第二凸电导体通过第四连接本体连结到所述第二半导体元件的另一个电极，并且包括朝向所述第二连结面突出的突起；

由导电金属板形成的结合部，所述结合部包括第一定位开口和第二定位开口，在所述第一定位开口中配合所述第一凸电导体的突起，在所述第二定位开口中配合所述第二凸电导体的突起，并且所述结合部通过第六连接本体连结到所述第一凸电导体和所述第二凸电导体以及所述第二电导体的第二连结面；

第一功率端子，所述第一功率端子包括近侧端部部分，所述近侧端部部分通过第五连接本体连结到所述第一连结面并且从所述第一电导体向外延伸；

第二功率端子，所述第二功率端子相对于所述第二电导体从所述结合部向外延伸；

信号端子，所述信号端子连接到所述第一半导体元件；和

封套，所述封套覆盖和密封所述第一功率端子的近侧端部部分、所述第二功率端子的近侧端部部分、所述信号端子的近侧端部部分和其它组成构件，

所述封套包括平坦的底面，所述平坦的底面与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件垂直地延伸，并且在所述平坦的底面中暴露出所述第一电导体的第一底面和所述第二电导体的第二底面。

2.根据权利要求1所述的半导体功率转换器，其特征在于，所述结合部包括凹槽，所述凹槽面对所述第二连结面，以便使所述第一定位开口和所述第二定位开口敞开到所述凹槽中并且所述第六连接本体布置在所述凹槽中。

3.根据权利要求2所述的半导体功率转换器，其特征在于，所述第一连接本体至所述第六连接本体由焊料制成，所述焊料含有多个具有预定直径的粒子。

4.根据权利要求3所述的半导体功率转换器，其特征在于，所述信号端子包括：长形的发射极支路，所述长形的发射极支路从所述结合部分出；和多个长形的信号端子，所述多个长形的信号端子与所述发射极支路基本平行地延伸，并且所述多个长形的信号端子中的每个都包括连接至所述第一半导体元件的近侧端部部分，并且所述发射极支路和所述多个信号端子从所述封套向外延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体功率转换器，其特征在于，所述第一连接本体至所述第六连接本体由焊料制成，所述焊料含有多个具有预定直径的粒子。

6.根据权利要求1所述的半导体功率转换器，其特征在于，所述信号端子包括：长形的发射极支路，所述长形的发射极支路从所述结合部分出；和多个长形的信号端子，所述多个长形的信号端子与所述发射极支路基本平行地延伸，并且所述多个长形的信号端子中的每个都包括连接至所述第一半导体元件的近侧端部部分，并且所述发射极支路和所述多个信号端子从所述封套向外延伸。