[发明专利]N型晶体硅及其制备方法有效
| 申请号： | 201310447431.8 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103451728A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张帅;胡亚兰;游达;朱常任 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种N型晶体硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
向坩埚内投入含有N型掺杂剂的硅料，其中所述坩埚侧壁内侧涂覆有P型掺杂补偿剂涂层，所述P型掺杂补偿剂涂层的位置在所投入的含有N型掺杂剂的硅料熔化后的硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内；
硅料熔化，定向凝固，使含有N型掺杂剂的硅液生成N型晶体硅。
2.根据权利要求1所述的N型晶体硅的制备方法，其特征在于，在向坩埚内投入含有N型掺杂剂的硅料的步骤之前，还包括以下步骤：
根据投入的所述含有N型掺杂剂的硅料的质量和坩埚的内径，计算出硅料熔化后的硅液表面的高度和所生成的晶体硅的高度；
在位于硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内的坩埚侧壁上涂覆P型掺杂补偿剂涂层。
3.根据权利要求2所述的N型晶体硅的制备方法，其特征在于，先在坩埚内壁上的所有区域涂覆一层氮化硅涂层，然后在位于硅液表面与硅液所生成的晶体硅的高度差范围内的坩埚侧壁上涂覆P型掺杂补偿剂涂层。
4.根据权利要求1所述的N型晶体硅的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂补偿剂涂层通过喷涂或刷涂的方式涂覆在坩埚侧壁上。
5.根据权利要求1所述的N型晶体硅的制备方法，其特征在于，所述N型掺杂剂为N型母合金或N型半导体元素。
6.根据权利要求5所述的N型晶体硅的制备方法，其特征在于，所述N型母合金为硅-磷、硅-砷或硅-锑母合金；所述N型半导体元素为磷、砷或锑。
7.根据权利要求1所述的N型晶体硅的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂补偿剂涂层中的P型掺杂补偿剂为P型母合金或P型半导体元素。
8.根据权利要求7所述的N型晶体硅的制备方法，其特征在于，所述P型母合金为硅-硼、硅-镓或硅-铝母合金；所述P型半导体元素为硼、镓或铝。
9.一种N型晶体硅，其特征在于，所述N型晶体硅由权利要求1至8中任一项所述的方法制得。
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