[发明专利]一种纳米压印光刻装置及其方法有效
申请号: | 201310447608.4 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN103488046B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 袁伟 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 压印 光刻 装置 及其 方法 | ||
1.一种纳米压印光刻装置,用于对表面涂有电感性光刻胶的衬底进行光刻,包括:
模板基板;
其特征在于,还包括:
压印模板,具有导电性,位于所述模板基板的表面上,所述压印模板表面与衬底上的光刻胶面相向设置,所述压印模板具有与形成目标图案的反向凹凸图案,与所述被刻衬底上的电感性光刻胶接触;
电子源,为所述压印模板中凹凸图案提供电子流;
其中,当所述压印模板上的凸图案与所述被刻衬底上的电感性光刻胶接触时,凸图案上的所述电子流对所述电感性光刻胶进行图像化感光。
2.如权利要求1所述的纳米压印光刻装置,其特征在于,所述压印模板的材料为金属。
3.如权利要求1所述的纳米压印光刻装置,其特征在于,所述压印模板尺寸与所述衬底尺寸相同。
4.如权利要求1所述的纳米压印光刻装置,其特征在于,所述压印模板尺寸小于所述衬底尺寸。
5.如权利要求1所述的纳米压印光刻装置,其特征在于,所述压印模板形状为矩形、三角形或者圆形。
6.如权利要求1所述的纳米压印光刻装置,其特征在于,所述电子源为电子束式或接触式。
7.如权利要求6所述的纳米压印光刻装置,其特征在于,所述接触式电子源均匀地排布。
8.一种采用权利要求1所述装置进行纳米压印光刻方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1:在压印模板上制作具有与形成目标图案的反向凹凸图案;
步骤S2:在衬底表面上涂电感性光刻胶;
步骤S3:将所述压印模板与所述衬底对准;
步骤S4:使所述压印模板上的凸图案表面与所述衬底上的所述电感性光刻胶表面接触;
步骤S5:开启电子束式或接触式电子源,电子通过模板传导到所述光刻胶表面和所述压印模板图形接触区域;
步骤S6:所述光刻胶表面与所述压印模板接触的区域被电子感光,所述压印模板上的反向凹凸图案转移到所述光刻胶表面,形成目标图案;
步骤S7:分离所述压印模板与所述衬底。
9.如权利要求8所述的纳米压印光刻方法,其特征在于,在S4之前,还包括在所述压印模板与所述光刻胶面相对的接触表面进行亲水性预处理的步骤。
10.如权利要求8所述的纳米压印光刻方法,其特征在于,步骤S2中,所述光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。
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