[发明专利]一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺

权利要求书

1.一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺，其特征在于：包括如下步骤：

A、将表面依次印刷有陶瓷膜基底和金属导电膜层的PET膜正面朝上固定在激光刻蚀机的工作平台上，调整激光刻蚀机与工作平台的相对位置或激光刻蚀机的激光头的高度，使激光刻蚀机的激光焦点落在基底的正上方；

B、将要刻蚀的导电膜图形和陶瓷膜图形分别导出并输入激光刻蚀机，并作为两个图层；分别对导电膜图形图层和陶瓷膜图形图层设置激光参数和运动参数；

C、启动激光刻蚀机，对基底的导电膜图形图层和陶瓷膜图形图层分别进行刻蚀，制得微型电路板；

其中，所述激光刻蚀机为皮秒激光刻蚀机；

所述导电膜图形图层的激光参数和运动参数设置为：激光功率为12~100W，激光脉冲频率为200~1000KHz，激光脉冲宽度为8~15ps，激光刻蚀线速度为2000~3000mm/s，刻蚀重复次数为2~3次；

所述陶瓷膜图形图层的激光参数和运动参数设置为：激光功率为12~100W，激光脉冲频率为200~1000KHz，激光脉冲宽度为8~15ps，激光刻蚀线速度为200~3000mm/s，刻蚀重复次数为1~2次。

2.根据权利要求1所述的一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺，其特征在于：所述皮秒激光刻蚀机的激光波长为355nm或532nm、F-θ透镜组的焦距50~150mm、激光器的额定输出频率为200~1000KHz。

3.根据权利要求1所述的一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺，其特征在于：所述步骤A中，陶瓷膜基底为LTCC陶瓷膜基底；金属导电膜层为铜薄膜、铝薄膜、镍薄膜、金薄膜、银薄膜、钯薄膜、铂薄膜、钨薄膜或钼薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺，其特征在于：所述导电膜图形图层的激光参数和运动参数设置为：激光功率为12~50W，激光脉冲频率为200~600KHz，激光脉冲宽度为8~12ps，激光刻蚀线速度为2000~2500mm/s，刻蚀重复次数为3次。

5.根据权利要求1所述的一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺，其特征在于：所述导电膜图形图层的激光参数和运动参数设置为：激光功率为50~100W，激光脉冲频率为600~1000KHz，激光脉冲宽度为12~15ps，激光刻蚀线速度为2500~3000mm/s，刻蚀重复次数为2次。

6.根据权利要求1所述的一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺，其特征在于：所述陶瓷膜图形图层的激光参数和运动参数设置为：激光功率为12~50W，激光脉冲频率为200~600KHz，激光脉冲宽度为8~12ps，激光刻蚀线速度为200~1500mm/s，刻蚀重复次数为2次。

7.根据权利要求1所述的一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺，其特征在于：所述陶瓷膜图形图层的激光参数和运动参数设置为：激光功率为50~100W，激光脉冲频率为600~1000KHz，激光脉冲宽度为12~15ps，激光刻蚀线速度为1500~3000mm/s，刻蚀重复次数为1次。

8.根据权利要求2所述的一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺，其特征在于：所述皮秒激光刻蚀机的激光波长为355nm、F-θ透镜组的焦距100mm、激光器的额定输出频率为200~600KHz。

9.根据权利要求2所述的一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺，其特征在于：所述皮秒激光刻蚀机的激光波长为532nm、F-θ透镜组的焦距100~150mm、激光器的额定输出频率为600~1000KHz。

10.如权利要求1~9任一项所述的一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺制得的微型电路板，其特征在于：所述微型电路板刻蚀的最小圆直径为20μm，微型电路板的良品率为98%以上。