[发明专利]增强兼容性的MHL识别控制电路

权利要求书

1.一种增强兼容性的MHL识别控制电路，包括：

MHL识别单元，在连接MHL设备时，所述MHL识别单元的识别信号输入端连接MHL设备的MHL_CD_SENSE信号端，并且所述识别信号输入端输入高电平，所述MHL识别单元的识别信号输出端连接MHL设备的MHL_CBUS信号端，并且所述识别信号输出端置空；

其特征在于，所述增强兼容性的MHL识别控制电路还包括唤醒脉冲检测单元，所述唤醒脉冲检测单元的唤醒脉冲输入端连接到MHL设备的MHL_CBUS信号端，所述检测唤醒脉冲单元的唤醒脉冲输出端连接到数字多媒体接收设备的主控模块；

在数字多媒体接收设备待机情况下，所述MHL设备通过所述MHL_CBUS信号端向所述唤醒脉冲检测单元的唤醒脉冲输入端发送MHL唤醒脉冲，所述MHL唤醒脉冲通过所述唤醒脉冲检测单元处理后经由所述唤醒脉冲输出端输出到所述主控模块，所述主控模块判断接收到的所述MHL唤醒脉冲是否满足预设的MHL唤醒脉冲标准，如果满足，则唤醒所述多媒体接收设备以与所述MHL设备通信。

2.如权利要求1所述的增强兼容性的MHL识别控制电路，其特征在于，所述检测唤醒脉冲单元的唤醒脉冲输出端连接到数字多媒体接收设备的主控模块的GPIO口。

3.如权利要求1所述的增强兼容性的MHL识别控制电路，其特征在于，所述预设的MHL唤醒脉冲标准是：所述MHL唤醒脉冲的高低脉宽时间为30ms+/-10%，同时MHL唤醒脉冲状态满足101000101，其中，所述MHL唤醒脉冲高电平时为1，低电平时为0。

4.如权利要求1所述的增强兼容性的MHL识别控制电路，其特征在于，所述唤醒脉冲检测单元包括第一三极管、第一MOS管和第二MOS管，所述第一三极管的集电极接地，基极连接所述唤醒脉冲输入端，发射极连接所述第一MOS管的源极，所述第一MOS管的栅极连接信号控制端，漏极通过第一电阻连接到待机电压上，所述第二MOS管的漏极通过第二电阻连接到所述待机电压上，栅极连接到所述三极管Q1的发射极，源极接地，所述脉冲信号输出端连接到所述第二MOS管的漏极；当所述MHL识别单元的识别信号输入端为低电平时，所述主控模块向所述信号控制端输入低电平；当所述MHL识别单元的识别信号输入端为高电平时，所述主控模块向所述信号控制端输入高电平。

5.如权利要求4所述的增强兼容性的MHL识别控制电路，其特征在于，所述信号控制端连接到所述数字多媒体接收设备的主控模块的另一GPIO口。

6.如权利要求1所述的增强兼容性的MHL识别控制电路，其特征在于， 

所述MHL识别单元包括第二三极管、第三三极管、第四三极管和第三MOS管，所述第三MOS管的栅极连接所述识别信号输入端，源极接地，漏极通过第三电阻连接到电源电压；所述第二三极管的基极通过第四电阻连接到所述第三MOS管的漏极，发射极接地，集电极通过串联的第五、第六电阻连接到电源电压；所述第三三极管的基极连接到所述串联的第五、第六电阻的连接点，发射极连接到电源电压，集电极通过第七电阻连接所述第四三极管的集电极；所述第四三极管的基极通过第八电阻连接所述主控模块的HPD控制端，集电极连接所述识别信号输出端，发射极接地；

所述唤醒脉冲检测单元包括第一三极管、第一MOS管和第二MOS管，所述第一三极管的集电极接地，基极连接所述唤醒脉冲输入端，发射极连接所述第一MOS管的源极，所述第一MOS管的栅极通过所述信号控制端连接到所述MHL识别单元的第二三极管的集电极，漏极通过第一电阻连接到待机电压上，所述第二MOS管的漏极通过第二电阻连接到所述待机电压上，栅极连接到所述三极管Q1的发射极，源极接地，所述脉冲信号输出端连接到所述第二MOS管的漏极。

7.如权利要求6所述的增强兼容性的MHL识别控制电路，其特征在于，所述第一三极管和第三三极管为PNP三极管，所述第二三极管和第四三极管为NPN三极管。

8.如权利要求4~7中任一项所述的增强兼容性的MHL识别控制电路，其特征在于，所述待机电压优选为3.3V。

9.如权利要求6所述的增强兼容性的MHL识别控制电路，其特征在于，所述电源电压优选为5V。

10.如权利要求1~7中任一项所述的增强兼容性的MHL识别控制电路，其特征在于，所述高电平为大于1.5V, 所述低电平为小于0.8V。