[发明专利]径向无箔二极管引导磁场系统有效

专利信息
申请号: 201310448430.5 申请日: 2013-09-27
公开(公告)号: CN103474314A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 刘庆想;李相强;孔龙;张健穹;王邦继 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H01J23/087 分类号: H01J23/087
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 杨军
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 径向 二极管 引导 磁场 系统
【权利要求书】:

1.径向无箔二极管引导磁场系统,包括主要由阴极发射体(1),设置于阴极发射体(1)外侧的导体(3),位于阴极发射体(1)正上方的径向传输线(4),分别连接于径向传输线(4)与阴极发射体(1)距离最近一端的两侧、位于阴极发射体(1)外围的阳极壁(7)构成的径向无箔二极管,其特征在于,还包括设置于径向传输线(4)左右两侧、与径向传输线(4)和阳极壁(7)之间均存在间隙的螺线盘,所述径向无箔二极管内的阴极发射体(1)左右两侧分别设置有永磁环(2)。

2.根据权利要求1所述的径向无箔二极管引导磁场系统,其特征在于,所述永磁环(2)与阴极发射体(1)之间存在间隙。

3.根据权利要求1所述的径向无箔二极管引导磁场系统,其特征在于,所述设置于径向传输线(4)左右两侧的螺线盘包括呈层状分布的第一螺线盘(5)和第二螺线盘(6),其中距阴极发射体(1)较远的螺线盘的轴向长度小于距阴极发射体(1)较近的螺线盘的轴向长度。

4.根据权利要求1所述的径向无箔二极管引导磁场系统,其特征在于,所述阴极发射体(1)左右两侧的永磁环(2)的顶点均为阴极发射体(1)两侧导体(3)表面或内部中的任意一点。

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