[发明专利]一种基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器

权利要求书

1. 一种基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器，其特征在于具体结构包括：

由柔性材料组成的衬底；

位于上述衬底之上的电荷隧穿层；

位于电荷隧穿层之上的氧化石墨烯电荷陷阱层；

位于氧化石墨烯电荷陷阱层之上的控制栅介质阻止层。

2. 一种如权利要求1所述的基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器的制备方法，其特征在于具体步骤为：

（1）在柔性衬底上生长一层沟道层；

（2）定义有源区，形成源漏；

（3）采用低温原子层淀积方法，生长介质薄膜作为电荷隧穿层；

（4）在上述步骤形成的结构上，室温下旋涂氧化石墨烯作为电荷陷阱层；

（5）在上述步骤形成的结构上，采用低温原子层淀积方法，生长控制栅介质阻止层；

（6）最后形成栅电极。

3. 根据权利要求2所述的基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器的制备方法，其特征在于所述的柔性衬底材料为聚乙烯对苯二酸脂、聚酰亚胺、硅橡胶、聚对苯二甲酸乙二醇脂、硅树脂有机聚合物材料，或者金属陶瓷材料。

4. 根据权利要求2所述的基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器的制备方法，其特征在于所述的栅电极材料为Pt，Al，Au或者Pd。

5. 根据权利要求2所述的基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器的制备方法，其特征在于所述的电荷隧穿层和阻止层，其材料为Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂或TiO₂。