[发明专利]硅通孔的形成方法

权利要求书

1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶圆；

在所述晶圆中形成通孔；

在所述通孔表面形成绝缘层；

在所述通孔内及所述晶圆上表面形成金属铜层；

采用激光热退火对所述金属铜层表面进行均一化处理；

对所述金属铜层进行平坦化至露出所述晶圆表面。

2.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述激光热退火采用的激光为脉冲激光，所述脉冲激光的波长范围包括300nm～600nm。

3.如权利要求2所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述激光的每次投射时间范围为0.1μs～0.5μs。

4.如权利要求3所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述激光的投射面积范围为1cm²～4cm²。

5.如权利要求4所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，金属铜层位于所述晶圆上表面的厚度范围包括4μm～5.5μm，并且最大厚度与最小厚度的差值范围包括0.3μm～0.5μm。

6.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，将所述晶圆上表面分为中央区域和外缘区域；

在所述中央区域中，对位于所述通孔内及所述晶圆表面的金属铜层表面都进行所述激光热退火；

在所述外缘区域中，对位于所述通孔内的金属铜层表面进行所述激光热退火。

7.如权利要求6所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，在所述中央区域中，所述激光的投射面积范围包括1cm²～3cm²；在所述外缘区域中，所述激光的投射面积范围包括2cm²～4cm²。

8.如权利要求7所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，在所述中央区域中，所述激光的每次投射时间范围包括0.1μs～0.3μs；在所述外缘区域中，所述激光的每次投射时间范围包括0.3μs～0.5μs。

9.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，采用电镀铜工艺在所述通孔内及所述晶圆上表面形成所述金属铜层。

10.如权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述平坦化工艺采用化学机械平坦化工艺。