[发明专利]一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法有效
| 申请号： | 201310450417.3 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103531658A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李春雷;赵星梅;兰云峰;孙月峰 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100015 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 原子 沉积 制备 方法 | ||
1.一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法，包括步骤：
1）在原子层沉积反应腔室中装载硅衬底，将所述反应腔室抽真空，气压稳定在0.1-50Torr；
2）以三甲基铝为铝源、H2O为氧源，进行原子层沉积，反应周期数为40-160；
3）以三甲基铝为铝源、O3为氧源，进行原子层沉积，反应周期数为95-300。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅衬底为p型晶体硅或n型晶体硅。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中反应温度为150-300℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中三甲基铝源温度为15-35℃，H2O源温度为20-40℃，载气为氮气或惰性气体，载气流量0.5-5slm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3）中反应温度为180-300℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3）中三甲基铝源温度为15-35℃，H2O源温度为20-40℃。
7.根据权利要求1-6任一所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中载气流量0.5-5slm，O3浓度为200-300g/m3，O3流量为2-20slm。
8.根据权利要求1-6任一所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3）之后还包括将反应腔室抽真空，返压和取出硅衬底的步骤。
9.权利要求1-8任一所述的制备方法制备得到的三氧化二铝薄膜。
10.包含权利要求9所述三氧化二铝薄膜的光电器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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