[发明专利]多层金属接触件在审
| 申请号： | 201310451248.5 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104037122A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 谢铭峰;曾文弘;赖志明;谢艮轩;高蔡胜;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 金属 接触 | ||
1.一种用于在半导体器件内形成金属接触件的方法，所述方法包括：
在围绕栅电极的第一介电层中形成第一层接触件，所述第一层接触件延伸至底部衬底的掺杂的源极/漏极区域；
在所述第一介电层上方形成第二介电层；
形成穿过所述第二介电层延伸至所述第一层接触件的第二层接触件。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：形成穿过所述第二介电层延伸至所述第一介电层内的所述栅电极的第二层接触件。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：形成穿过所述第二介电层延伸至所述栅电极和所述第一层金属接触件的接触件。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二层接触件，在所述第一层接触件和所述第二层接触件之间形成台阶。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层接触件的临界尺寸与所述第二层接触件的临界尺寸基本相似。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅电极包括高k金属栅电极。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：形成第二层接触件，所述第二层接触件延伸穿过所述第二介电层和硬掩模层，所述硬掩模层围绕所述栅电极以与所述栅电极连接。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述硬掩模层相对于所述第一介电层具有选择性来用于蚀刻目的。
9.一种半导体器件，包括：
衬底，包括掺杂区域；
第一介电层，围绕形成在所述衬底上的至少一个栅电极，所述第一介电层包括延伸至所述掺杂区域的第一层接触件；
第二介电层，形成在所述第一介电层上方，所述第二介电层包括穿过所述第二介电层延伸至所述第一层接触件的第二层接触件。
10.一种用于在半导体器件内形成金属接触件的方法，所述方法包括：
在衬底上沉积栅电极；
对所述衬底中邻近所述栅电极的区域进行掺杂以形成掺杂区域；
在所述栅电极上方沉积第一介电层；
在所述第一介电层内形成第一层接触件；
在所述第一介电层上方形成第二介电层；
形成穿过所述第二介电层延伸至所述第一层接触件的第二层接触件，使得在所述第一层接触件与所述第二层接触件之间具有台阶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
