[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由第一薄膜层，掺杂层和第二薄膜层组成，所述第一薄膜层材料选自铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材和铟锌氧化物靶材中至少一种，所述掺杂层材料包括金属硫化物，双极性金属氧化物和金属氧化物，所述金属氧化物材料选自氧化锌、氧化镁、二氧化钛和氧化锆中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钼，三氧化钨和五氧化二钒中至少一种，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述第二薄膜层材料与所述第一薄膜层材料相同。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂层材料中所述金属硫化物与所述双极性金属氧化物的质量比为1:2～2:3，所述金属氧化物与所述双极性金属氧化物的质量比为1:10～1:15。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一薄膜层厚度为50nm～100nm，掺杂层厚度为20nm～60nm，所述第二薄膜层厚度为100nm～300nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述空穴注入层的材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种，所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层；及

在电子注入层表面通过磁控溅射的方法制备第一薄膜层，所述第一薄膜层材料选自铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材和铟锌氧化物靶材中至少一种，接着在所述第一薄膜层表面通过电子束蒸镀方式制备掺杂层，所述掺杂层材料包括金属硫化物，双极性金属氧化物和金属氧化物，所述金属氧化物材料选自氧化锌、氧化镁、二氧化钛和氧化锆中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钼，三氧化钨和五氧化二钒中至少一种，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，通过磁控溅射的方式在所述掺杂层表面蒸镀制备所述第二薄膜层，所述第二薄膜层材料与第一薄膜层材料相同。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述掺杂层材料中所述金属硫化物与所述双极性金属氧化物的质量比为1:2～2:3，所述金属氧化物与所述双极性金属氧化物的质量比为1:10～1:15。

7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述第一薄膜层厚度为50nm～100nm，掺杂层厚度为20nm～60nm，所述第二薄膜层厚度为100nm～300nm。

8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，磁控溅射的加速电压：300V～800V，磁场约：50G～200G，功率密度：1W/cm²～40W/cm²，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子束蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm²～l00W/cm²，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。