[发明专利]显示装置及电子设备有效
申请号: | 201310452293.2 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103713432B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 松岛寿治 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置及电子设备的技术。特别地,涉及以横向电场型控制液晶分子的液晶显示装置(简称LCD)等。
背景技术
在搭载在各种电子设备等的液晶显示装置中,作为横向电场型,存在IPS(In-Plane-Switching)、FFS(Fringe Field Switching)等方式(也称为模式)。横向电场型与纵向电场型相比,在视野角的广度或开口率(1像素区域之中对显示有效的区域的面积率)等方面是有利的。
作为与FFS相关的现有技术例,有日本特开2008-52161号公报(专利文献1)等。专利文献1(“液晶装置及电子设备”)中,记载了不使结构变复杂就实现开口率高的、显示明亮的FFS方式的液晶装置。
在IPS模式中,在同一层设置像素电极和公共电极,电场主要在与基板面平行的方向(设为X、Y方向)产生。因此,在像素电极的正上方的区域中难以形成电场,难以驱动该正上方的区域的液晶分子。
相对于此,在FFS模式中,在与基板面垂直的方向(设为Z方向),隔着电介质膜重叠设置像素电极和公共电极,主要相对基板面产生倾斜的方向或抛物线状的电场(也称为边缘电场)。因此,像素电极的正上方的区域的液晶分子也变得容易驱动。即,在FFS模式中,能得到比IPS模式高的开口率。此外,以下称设于上述重叠的上侧一方的电极为上电极(第一电极),称设于下侧一方的电极为下电极(第二电极)。
然而,在上述的FFS方式的液晶显示装置等中,也存在响应速度的迟缓等的课题。此外这里所说的响应速度,是指对像素(包括上下电极)施加电压时,使液晶的透射率在规定水平间迁移时的速度。即由从断开(OFF)状态(例如透射率=0)到接通(ON)状态(透射率=1)迁移时、或者其反向迁移时所需的时间来规定。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1:日本特开2008-52161号公报。
发明内容
发明要解决的课题
鉴于以上内容,本发明的主要目的在于提供在视野角的广度、开口率的高度等的基础上,与现有的FFS方式等相比,还能够提高响应速度、显示质量等的新方式的显示装置等。
解决课题的手段
本发明之中的代表性方式,是显示装置及电子设备等,其特征在于具有以下所示的结构。
(1)本方式的显示装置是在对置的第一基板及第二基板之间具有液晶层的显示装置,设与画面对应的基板面内方向为第一方向、第二方向,设垂直方向为第三方向时,具有:电极层,其具有对置的上电极和下电极,且在该上电极或下电极形成有具有沿所述第一方向延伸的多个狭缝的开口部;以及第一遮光膜部,其设于所述第一基板或第二基板,并且沿所述第一方向延伸。所述液晶层设于所述电极层上,并且在所述开口部的狭缝的宽度方向对置的一侧及另一侧的附近区域的液晶分子互相沿相反方向旋转而取向。按每一像素,所述开口部的所述第二方向的至少一个最外的狭缝的端部的至少一部分因所述第三方向的所述第一遮光膜部的重叠而隐藏。
特别地,所述第一基板具有所述电极层以及在所述电极层和所述液晶层之间的第一取向膜。所述第二基板具有与所述液晶层之间的第二取向膜,所述第一取向膜沿作为与所述第一方向大致平行的方向的第一摩擦方向进行了摩擦处理作为所述取向处理,所述第二取向膜沿作为与所述第一取向膜的第一摩擦方向的反方向的第二摩擦方向进行了摩擦处理作为所述取向处理,所述液晶层的液晶分子的长轴沿所述第一摩擦方向排列,作为所述液晶层的液晶的初始取向状态。
特别地,所述第一遮光膜部的所述第二方向的宽度是从所述开口部的最外的狭缝的端部的线往外侧到规定的距离为止的宽度(H)以上。换言之第一遮光膜部的第二方向的宽度最低限度是能够隐藏到该规定的距离为止的宽度(H)的部分的大小。
特别地,所述第一基板具有作为构成所述像素的单元的、沿所述第一方向延伸的第一电极线以及与所述第一电极线连接的开关元件,所述第一遮光膜部配置成重叠在所述第一电极线及开关元件之上,所述第一遮光膜部的所述第二方向的宽度是隐藏所述第一电极线及开关元件的宽度。
(结构A)特别地,所述上电极是按每像素具有开口的公共电极,所述下电极是具有按像素的电极部的像素电极,俯视下所述上电极的开口的区域成为所述开口部。
(结构B)特别地,所述上电极是具有按像素的电极部的像素电极,所述下电极是公共电极,在俯视下所述上电极的外侧的区域成为所述开口部。
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