[发明专利]超声波检验焊缝根部缺陷的方法

权利要求书

1.一种超声波检验焊缝根部缺陷的方法，其特征在于，该方法是使用超声波检验焊缝根部缺陷的装置完成的，其中，超声波检验焊缝根部缺陷的装置包括通过电缆线相连的三晶片合成探头和超声波探伤仪，所述三晶片合成探头是把三个晶片封装在一个外壳内部的探头；该方法包括以下步骤：

（1）按所执行的标准规定选择超声波检验焊缝根部缺陷的装置和试块，其中，所述试块是CSK-IA和CSK-II/III/IVA；

（2）利用CSK-IA试块，调节超声波探伤仪的线性、设置各项超声波探伤仪参数；并利用CSK-II/III/IVA试块，确定探伤灵敏度，至少绘制两次DAC曲线，同时保存调节设置好的参数；

所述DAC曲线绘制为单晶片探头和双晶片探头，所述单晶片探头是将三晶片合成探头中封装的三个晶片作为一个晶片整体的探头，且三晶片合成探头中封装的三个晶片并联连接，按常规方法检验；

所述双晶片探头是将所述三晶片合成探头中封装的三个晶片组合成一发射一接收双晶片探头，即三个晶片中一个作为发射晶片，另两个晶片作为接收晶片；

（3）对被检工件进行扫查，探头移动按标准规定的锯齿型和横向的平行或斜平行进行，使探头前后移动距离大于工件厚度TH与探头横波折射角的正切值K的乘积，即TH×K；

（4）当发现缺陷时，再作前后、左右、转角、环绕等形式扫查，结合单晶片探头的DAC曲线按标准对缺陷做出性质判断与评级，并做好缺陷的文字记录和工件标定；

（5）当发现焊缝根部有缺陷或怀疑有缺陷或根部回波异常时，把超声波探伤仪的单晶片探头模式换成双晶片探头模式，即检测变成一发射一接收双晶片探头模式；

（6）再一次对根部有缺陷或怀疑有缺陷或根部回波异常部位进行扫查，探头前后移动，使移动距离大于工件厚度TH与折射角的正切值K的乘积，即TH×K；

（7）对缺陷进行性质判断与评级：按缺陷回波显示、水平定位、底波变化等综合分析，能准确的检出焊缝中根部和近根部的缺陷，即可大致判断出缺陷的方向、大小、性质，然后进行评级，所述评级按双晶片探头制作的DAC曲线参数执行。

2.根据权利要求1所述的超声波检验焊缝根部缺陷的方法，其特征在于，所选用的三晶片合成探头横波折射角为36°～54°。

3.根据权利要求2所述的超声波检验焊缝根部缺陷的方法，其特征在于，所选用的三晶片合成探头横波折射角为45°。

4.根据权利要求1所述的超声波检验焊缝根部缺陷的方法，其特征在于，被检工件厚度为40～200mm。

5.根据权利要求1所述的超声波检验焊缝根部缺陷的方法，其特征在于，被检工件的缺陷深度距根部表面为15～30mm。

6.根据权利要求7所述的超声波检验焊缝根部缺陷的方法，其特征在于，被检工件的缺陷深度距根部表面为22.5mm。

7.根据权利要求1所述的超声波检验焊缝根部缺陷的方法，其特征在于，被检工件的焊缝的结构为焊缝余高磨平的形状和焊缝余高未磨平的形状。

8.根据权利要求1所述的超声波检验焊缝根部缺陷的方法，其特征在于，超声波探伤仪为A超探伤仪器。

9.根据权利要求1所述的超声波检验焊缝根部缺陷的方法，其特征在于，A超探伤仪器为数字机或模拟机。

10.超声波检验焊缝根部缺陷的装置，其如上述权利要求1-9中所述。