[发明专利]一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种Pt/硅纳米阵列的复合材料，其特征在于，所述Pt为簇状，所述硅纳米阵列为规则孔状或线状，所述Pt位于所述硅纳米阵列顶端。

2.如权利要求1所述的Pt/硅纳米阵列的复合材料，其特征在于，所述Pt为花状。

3.如权利要求1所述的Pt/硅纳米阵列的复合材料，其特征在于，所述Pt直径为25-800nm。

4.如权利要求1所述的Pt/硅纳米阵列的复合材料，其特征在于，所述硅纳米阵列为规则孔状或线状。

5.如权利要求1所述的Pt/硅纳米阵列的复合材料，其特征在于，所述硅纳米阵列直径为30-200nm。

6.一种Pt/硅纳米阵列的复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（a）将硅纳米阵列作为工作电极，将Ag/AgCl作为参比电极，Pt电极为对电极，按照三电极体系连接电路；

（b）将所述三电极体系浸入电解质溶液中，所述电解质溶液为含有Pt离子的溶液，Pt离子的浓度为0.25～2g/L，调节pH值至1～3；

（c）采用多电位阶跃制备Pt/硅纳米阵列的复合材料，所述多电位阶跃激励信号为脉冲周期信号，所述脉冲周期信号施加于工作电极上，脉冲周期为10～60次。

7.如权利要求6所述的一种Pt/硅纳米阵列的复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（c）中的脉冲周期信号为-0.3～-0.6V阴极脉冲反应10ms～50ms，随即阶跃至+0.3～+0.6V阳极脉冲反应2.5～25ms，关断反应100ms～500ms。

8.如权利要求6所述的一种Pt/硅纳米阵列的复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（c）中的脉冲反应周期循环次数为50～60次。

9.如权利要求6所述的一种Pt/硅纳米阵列的复合材料的制备方法，其特征在于，所述硅纳米阵列的制备步骤为：

将单晶硅片，依次用去离子水、无水乙醇和丙酮进行超声洗涤，然后浸渍在H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中10～20分钟后取出；

将单晶硅片置于质量分数为5％的HF水溶液中，静置1～5分钟后取出；

将单晶硅片迅速转入含HF和AgNO₃的混合溶液中反应60～180秒后取出；

将单晶硅片转入HF和H₂O₂溶液中，在避光条件下反应15～60分钟，得到硅纳米阵列；

将硅纳米阵列转入硝酸溶液中浸泡3小时，去离子水清洗后取出。

10.如权利要求9所述的一种Pt/硅纳米阵列的复合材料的制备方法，其特征在于，所述混合溶液由H₂SO₄和H₂O₂按照体积比3:1进行配置。