[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310454383.5 申请日: 2013-09-29
公开(公告)号: CN104518110A 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 周明杰;钟铁涛;王平;张振华 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和封装层,所述阳极导电基板和封装层形成封闭空间,所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层容置在所述封闭空间内,所述封装层包括依次层叠的碳氮化硅层和无机阻挡层,所述无机阻挡层的材质为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟或氧化铊。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述碳氮化硅层的厚度为100~150nm,所述无机阻挡层的厚度为15~20nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层交替层叠3~5次。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料,所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱,所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,所述客体材料在所述主体材料中的掺杂质量分数为1%~15%。

6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)在洁净的阳极导电基板上采用真空蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层,得到有机电致发光器件样品;

(2)将所述有机电致发光器件样品置于等离子体增强化学气相沉积室中,在所述有机电致发光器件样品上制备碳氮化硅层;碳源和硅源为甲基硅烷,氮源为氨气;

(3)将制备有碳氮化硅层的有机电致发光器件样品置于原子层沉积系统的沉积室中,然后往所述沉积室中分别注入金属源和氧源,制备得到所述无机阻挡层,所述无机阻挡层的材质为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟或氧化铊;制备所述无机阻挡层时,所述金属源为三甲基硼、三甲基铝、三甲基镓、三甲基铟或三甲基铊,所述氧源为水蒸气;

所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层形成封装层,所述封装层和阳极导电基板形成封闭空间,所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层容置在所述封闭空间内,得到所述有机电致发光器件。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,制备所述氮碳化硅层时,同时通入氢气,所述氢气的流量为190~210sccm,所述甲基硅烷的流量为4~10sccm,所述氨气的流量是甲基硅烷的流量的20~30倍。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,制备所述无机阻挡层时的一个制备周期为:

(a)将金属源随载气注入所述沉积室中并在所述碳氮化硅层上沉积,注入时间为10~20ms,载气流量为10~20sccm;

(b)注入载气冲洗沉积室,注入时间为5~10s,流量为10~20sccm;

(c)然后将水蒸气随载气注入沉积室中,与所述金属源发生反应,注入时间为10~20ms,载气流量为10~20sccm;

(d)注入载气冲洗洗沉积室,注入时间为5~10s,流量为10~20sccm;

重复所述制备周期,得到厚度为15~20nm的所述无机阻挡层。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述碳氮化硅层的厚度为100~150nm。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述碳氮化硅层和所述无机阻挡层交替层叠3~5次。

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