[发明专利]半导体封装结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310454549.3 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103489803A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：
提供半导体基底，所述半导体基底上形成有焊垫层；
形成覆盖所述半导体基底和焊垫层的聚合物层，所述聚合物层中具有暴露部分焊垫层表面的开口，开口内的焊垫层表面上形成有若干分立的聚合物立柱；
形成覆盖所述焊垫层、聚合物立柱和开口外的部分聚合物层表面的凸下金属层。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述聚合物立柱的材料与聚合物层的材料相同，所述聚合物层的材料为光敏有机物。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述光敏有机物为光敏的环氧树脂、聚酰亚胺、苯环并丁烯、聚苯并恶唑。
4.如权利要求2所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，开口和聚合物立柱的形成过程为：形成覆盖所述半导体基底和部分焊垫层的聚合物层；进行曝光和显影，在聚合物层中形成暴露部分焊垫层表面的开口，同时在开口内的焊垫层表面上形成若干分立的聚合物立柱。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述聚合物立柱的数量大于等于1个。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，聚合物立柱的尺寸小于开口的尺寸。
7.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述凸下金属层的厚度小于焊垫层表面的聚合物立柱的高度。
8.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述凸下金属层为单层或多层堆叠结构。
9.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在开口上的凸下金属层上形成凸块。
10.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在开口上的凸下金属层上形成金属柱。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
