[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310454689.0 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104517884B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底，
在所述半导体衬底上依次形成有垫氧化层、垫氮化物层；
图案化所述垫氮化物层、垫氧化层和部分的所述半导体衬底，以形成沟槽；
在所述垫氮化物层和所述沟槽的底部及侧面上形成第一氧化物层；
在所述第一氧化物层上形成氮化物层，所述氮化物层在沟槽水平方向的高度与所述半导体衬底顶部齐平或高于所述半导体衬底顶部；
在所述氮化物层上形成第二氧化物层；
平坦化所述第二氧化物层停止于所述垫氮化物层，以去除部分的所述第二氧化物层；
去除所述垫氮化物层和所述垫氧化层，以露出所述半导体衬底。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化物层为氮化硅层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在去除所述垫氮化物层和所述垫氧化层之后在所述半导体衬底上形成栅极介电层和栅极，以及位于所述栅极介电层和栅极两侧的侧墙结构的步骤。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述侧墙结构的同时去除了剩余的所述第二氧化物层以露出所述氮化物层。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述侧墙结构包括氧化物层和氮化物层，所述侧墙结构为氧化物层、氮化物层和氧化物层的三层结构。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述沟槽之后在所述沟槽中形成衬垫层的步骤。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述衬垫层的材料为二氧化硅或者氮氧化硅。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化物层的厚度为所述沟槽底部到所述半导体衬底表面高度的50％至70％。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化物层和所述半导体衬底之间的高度差为0埃至500埃。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化物层的厚度大于等于1000埃。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用高密度等离子化学气相沉积工艺形成所述第一氧化物层和所述第二氧化物层。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用刻蚀工艺或者湿法清洗工艺去除所述垫氮化物层和垫氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
