[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层，其特征在于，所述封装层包括至少一个封装单元，所述封装单元包括依次叠层设置的碳氮化硅阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅化合物，所述第一无机阻挡层的材质为ⅢA族金属的氧化物，所述第二无机阻挡层的材质为ⅣB族金属的氧化物。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述ⅢA族金属的氧化物为三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟或三氧化二铊，所述ⅣB族金属的氧化物为二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氮化硅阻挡层的厚度为150nm～200nm，所述第一无机阻挡层的厚度为15nm～20nm，所述第二无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装单元重复设置3～5次。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在洁净的导电基板上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基板；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上制备发光功能层和阴极层；

（2）在阴极层上制备封装层，所述封装层包括至少一个封装单元，所述封装单元的制备方法如下：

（a）碳氮化硅阻挡层的制作：

采用等离子体增强化学气相沉积法在所述阴极层表面沉积碳氮化硅阻挡层，所述碳氮化硅阻挡层的材质为碳氮化硅化合物，在所述沉积碳氮化硅阻挡层的过程中，沉积温度为40～60℃，采用的气源为甲基硅烷、氨气和氢气，其中，所述氢气的流量为190～210sccm，所述甲基硅烷的流量为4～10sccm，所述氨气的流量为所述甲基硅烷流量的20～30倍；

（b）第一无机阻挡层的制作：

通过原子层沉积的方法在所述碳氮化硅阻挡层上沉积第一无机阻挡层，所述第一无机阻挡层的材质为ⅢA族金属的氧化物，在所述沉积第一无机阻挡层的过程中，沉积温度为40～60℃，采用的前驱体为ⅢA族金属的三甲基化合物和水蒸气，所述ⅢA族金属的三甲基化合物和水蒸气的注入时间皆为10～20ms，两者之间间隔注入惰性气体，所述惰性气体的注入时间为5～10s，所述ⅢA族金属的三甲基化合物、水蒸气和惰性气体的流量皆为10～20sccm；

（c）第二无机阻挡层的制作：

通过原子层沉积的方法在所述第一无机阻挡层上沉积第二无机阻挡层，得到有机电致发光器件，其中，所述第二无机阻挡层的材质为ⅣB族金属的氧化物，在所述沉积第二无机阻挡层的过程中，沉积温度为40～60℃，采用的前驱体为ⅣB族金属的四（二甲基胺基）化合物和水蒸气，所述ⅣB族金属的四（二甲基胺基）化合物和水蒸气的注入时间分别为0.2～1s和20～40ms，两者之间间隔注入惰性气体，所述惰性气体的注入时间为5～10s，所述ⅣB族金属的四（二甲基胺基）化合物、水蒸气和惰性气体的的流量皆为10～20sccm。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（b）中，所述ⅢA族金属的三甲基化合物为三甲基化硼、三甲基化铝、三甲基化镓、三甲基化铟或三甲基化铊，所述ⅢA族金属的氧化物为三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟或三氧化二铊；所述步骤（c）中，所述ⅣB族金属的四（二甲基胺基）化合物为四（二甲基胺基）钛、四（二甲基胺基）锆或四（二甲基胺基）铪，所述ⅣB族金属的氧化物为二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述氮氧化硅阻挡层的厚度为150nm～200nm，所述第一无机阻挡层的厚度为15nm～20nm，所述第二无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装单元重复设置3～5次。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。