[发明专利]一种有机电致发光器件的封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件的封装结构，包括阳极导电基底以及在所述阳极导电基底表面上依次层叠设置的有机发光功能层、阴极和薄膜封装层，其特征在于，所述薄膜封装层包括在所述阴极表面上依次层叠设置的氧氮化锗膜层和无机阻挡层；所述氧氮化锗膜层的材质为氧氮化锗化合物;所述无机阻挡层的材质为氯掺杂的氧化硼、氯掺杂的氧化铝、氯掺杂的氧化镓、氯掺杂的氧化铟或氯掺杂的氧化铊。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述氧氮化锗膜层的厚度为150nm～200nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述氧氮化锗膜层和所述无机阻挡层形成一个封装单元，所述薄膜封装层由3～5个所述封装单元层叠而成。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述阳极导电基底为导电玻璃基底、导电金属基底或导电塑料基底。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述有机发光功能层包括发光层，以及包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

7.一种有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）首先在洁净的导电基底表面上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基底，然后采用真空蒸镀的方法在所述阳极导电基底表面上依次制备有机发光功能层和阴极；

（2）在所述阴极表面上制备薄膜封装层，所述薄膜封装层包括在所述阴极表面上依次层叠设置的氧氮化锗膜层和无机阻挡层，制备方法如下：

a）氧氮化锗膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在所述阴极表面上制备氧氮化锗膜层，工作压强为10Pa～80Pa，沉积温度为30℃～60℃，射频功率为0.1W/cm²～1W/cm²；所述氧氮化锗膜层的材质为氧氮化锗化合物;所述沉积氧氮化锗膜层的过程中采用的气源为六甲基二锗胺、氨气和氧气，载入气体为氩气；所述六甲基二锗胺的流量为6sccm～14sccm，所述氨气和所述氧气的流量均为2sccm～18sccm，所述氩气的流量为70sccm～80sccm；

b)无机阻挡层的制备：采用原子层沉积法在所述氧氮化锗膜层表面上制备无机阻挡层，工作压强为10Pa～80Pa，沉积温度为40℃～60℃；所述无机阻挡层的材质为氯掺杂的氧化硼、氯掺杂的氧化铝、氯掺杂的氧化镓、氯掺杂的氧化铟或氯掺杂的氧化铊，所述沉积无机阻挡层的过程中采用的前驱体为三氯甲基硼、三氯甲基铝、三氯甲基镓、三氯甲基铟或三氯甲基铊中的一种三氯甲基物和水蒸气；所述三氯甲基物和所述水蒸气的注入时间均为10ms～20ms，注入所述胺基物与注入所述水蒸气之间间隔5s～10s注入氮气作为净化气体；所述三氯甲基物、所述水蒸气和所述氮气的流量均为10sccm～20sccm。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述氧氮化锗膜层的厚度为150nm～200nm。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。

10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，在所述步骤（b）后采用和步骤（a）相同的方法和材料在所述无机阻挡层上制备氧氮化锗膜层，再在所述氧氮化锗膜层上采用和步骤（b）相同的方法和材料制备无机阻挡层，所述氧氮化锗膜层和所述无机阻挡层形成一个封装单元，制备得到由3～5个所述封装单元重复形成的薄膜封装层。