[发明专利]有机EL 装置、有机EL 装置的制造方法以及电子设备在审
申请号: | 201310455230.2 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103715225A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 佐合拓己 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种有机EL装置,其特征在于,具备:
具有第1子像素和第2子像素的像素,
设置于所述第1子像素的第1阳极,
设置于所述第2子像素的第2阳极,
遍及所述第1子像素和所述第2子像素地设置的阴极,
在所述第1子像素的所述第1阳极与所述阴极之间用涂布方式形成的具有发出第1颜色光的功能的第1发光层,
遍及所述第1子像素和所述第2子像素地在所述第1发光层与所述阴极之间和所述第2阳极与所述阴极之间用蒸镀方式形成的具有发出第2颜色光的功能的第2发光层,和
至少设置于所述第1子像素的所述第1发光层与所述第2发光层之间的具有发出以可见光波长区域以外的波长为主的光的功能的第3发光层。
2.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,所述第3发光层具有发出红外光的功能。
3.根据权利要求2所述的有机EL装置,其特征在于,所述第3发光层的构成材料含有卟啉配合物或酞菁配合物。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的有机EL装置,其特征在于,所述第3发光层遍及所述第1子像素和所述第2子像素地用蒸镀方式形成,也设置于所述第2阳极与所述第2发光层之间。
5.根据权利要求4所述的有机EL装置,其特征在于,进一步具备:
设置于所述第1子像素的所述第1阳极与所述第1发光层之间的第1空穴注入层,和
设置于所述第2子像素的所述第2阳极与所述第3发光层之间的第2空穴注入层;
所述第2子像素中的所述第2阳极与所述第2发光层之间的距离小于所述第1子像素中的所述第1阳极与所述第2发光层之间的距离。
6.根据权利要求5所述的有机EL装置,其特征在于,所述像素进一步具有第3子像素,
所述阴极遍及所述第1子像素、所述第2子像素和所述第3子像素地被设置,
所述第3子像素具备:第3阳极、在所述第3阳极与所述阴极之间用涂布方式形成的具有发出第3颜色光的功能的第4发光层和设置于所述第3阳极与所述第4发光层之间的第3空穴注入层,
所述第3发光层和所述第2发光层遍及所述第1子像素、所述第2子像素和所述第3子像素,也设置于所述第4发光层与所述阴极之间,
所述第2子像素中的所述第2阳极与所述第3发光层之间的距离小于所述第3子像素中的所述第3阳极与所述第3发光层之间的距离。
7.根据权利要求6所述的有机EL装置,其特征在于,所述第1颜色为红色或绿色,所述第2颜色为蓝色,所述第3颜色为红色或绿色中与所述第1颜色不同的颜色。
8.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求1~7中任一项所述的有机EL装置。
9.一种有机EL装置的制造方法,其特征在于,具备具有第1子像素、第2子像素和第3子像素的像素,
所述制造方法包括:
在所述第1子像素形成第1阳极的工序,
在所述第2子像素形成第2阳极的工序,
在所述第3子像素形成第3阳极的工序,
在所述第1阳极上形成第1空穴注入层的工序,
在所述第2阳极上形成第2空穴注入层的工序,
在所述第3阳极上形成第3空穴注入层的工序,
在所述第1空穴注入层上用涂布方式形成具有发出红色光的功能的第1发光层的工序,
在所述第3空穴注入层上用涂布方式形成具有发出绿色光的功能的第4发光层的工序,
遍及所述第1子像素、所述第2子像素和所述第3子像素,在所述第1发光层上、所述第2空穴注入层上和所述第4发光层上用蒸镀方式形成具有发出以红外波长为主的光的功能的第3发光层的工序,
遍及所述第1子像素、所述第2子像素和所述第3子像素,在所述第3发光层上用蒸镀方式形成具有发出蓝色光的功能的第2发光层的工序,和
遍及所述第1子像素、所述第2子像素和所述第3子像素,在所述第2发光层上形成阴极的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的