[发明专利]基于磁共振弥散加权成像确定脑缺血特征的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201310455392.6 申请日: 2013-09-29
公开(公告)号: CN104510470B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 胡庆茂;郑惠敏 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: A61B5/055 分类号: A61B5/055;G06F19/00
代理公司: 深圳中一专利商标事务所44237 代理人: 张全文
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 磁共振 弥散 加权 成像 确定 缺血 特征 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种基于磁共振弥散加权成像确定脑缺血特征的装置,其特征在于,所述装置包括:

脑缺血区域确定模块,用于通过待测病人的磁共振弥散加权成像确定所述待测病人的脑缺血区域,所述脑缺血区域包括核心区域和过渡区域;

灰度分布参数确定模块,用于根据所述核心区域和过渡区域内的弥散表观系数ADC值,确定所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内弥散加权图像DWI灰度分布参数,所述DWI灰度分布参数包括所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内DWI的均方差DWIsd

判定模块,用于根据所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内DWI的均方差DWIsd,判定所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内DWI与所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内的ADC值是否失配;

所述灰度分布参数确定模块包括:

第一确定单元,用于将所述核心区域和过渡区域内ADC值小于C×ADCref的区域确定为所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域,所述C为[0.6,0.7]中的常数,所述ADCref为正常脑组织的ADC值;

第二计算单元,用于计算所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内DWI灰度分布参数。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述脑缺血区域确定模块包括:

第一计算单元,用于计算所述磁共振弥散加权成像中体素的ADC值,将所述磁共振弥散加权成像中体素的ADC值小于D1×ADCref的区域确定为所述核心区域,将所述磁共振弥散加权成像中体素的ADC在[D1×ADCref,D2×ADCref]并且与所述核心区域在空间相邻的区域确定为所述过渡区域,所述ADCref为正常脑组织的ADC值,所述D1为[0.6,0.7]内的任意常数,所述D2为[0.8,0.9]内的任意常数。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述判定模块包括:

第三确定子模块,用于通过获取的N个病人是否溶栓和病人的预后好坏的统计数据,确定用于判定所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内DWI与所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内的ADC值是否失配的阈值ThreshDWI,所述N为大于1的自然数;

第一判定子模块,用于若所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内DWI的均方差DWIsd不小于所述阈值ThreshDWI,则判定所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内DWI与所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内的ADC值失配。

4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第三确定子模块包括:

统计单元,用于通过对所述N个病人中DWIsd大于或等于待定阈值Thresh1时溶栓后预后不好与不溶栓而预后好的病人数之和STP、DWIsd小于所述待定阈值Thresh1时溶栓后预后好与不溶栓而预后不好的病人数之和STN、DWIsd大于或等于所述待定阈值Thresh1时溶栓后预后好与不溶栓而预后不好的病人数之和SFP以及DWIsd小于所述待定阈值Thresh1时溶栓后预后不好与不溶栓而预后好的病人数之和SFN进行统计,获取表征灵敏度的值STP/(STP+SFN)和表征特异性的值STN/(SFP+STN);

求取单元,用于求取使得STP/(STP+SFN)+STN/(SFP+STN)最大时所述待定阈值Thresh1的值,以所述使得STP/(STP+SFN)+STN/(SFP+STN)最大时所述待定阈值Thresh1的值作为所述用于判定所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内DWI与所述磁共振弥散加权成像中低ADC值的区域内的ADC值是否失配的阈值ThreshDWI

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