[发明专利]双重图形的形成方法

权利要求书

1.一种双重图形的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层；

在所述待刻蚀层表面形成具有开口的牺牲层，所述开口暴露出部分待刻蚀层的表面；

在所述牺牲层的侧壁表面形成侧墙；

去除所述牺牲层；

对所述侧墙进行疏水处理，使所述侧墙具有疏水性表面；

对所述待刻蚀层表面及侧墙表面进行清洗和清洗后的干燥处理。

2.根据权利要求1所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括：待刻蚀材料层和位于所述待刻蚀材料层表面的硬掩膜层。

3.根据权利要求2所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层还包括位于所述硬掩膜层表面的缓冲层，所述缓冲层的材料与侧墙的材料相同。

4.根据权利要求3所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为0.5nm～1nm。

5.根据权利要求4所述的双重图形的形成方法，其特征在于，形成所述缓冲层的方法为原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺。

6.根据权利要求1或3所述的双重图形的形成方法，其特征在于，对所述侧墙进行疏水处理的方法为等离子体注入工艺。

7.根据权利要求6所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述等离子体注入的离子为Si，所述等离子体注入的偏置电压小于3kV，Si离子的注入剂量为5E16atom/cm²～5E17atom/cm²，注入深度小于1nm。

8.根据权利要求7所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述等离子体注入采用的气体源至少包括SiH₄、Si₃H₈、Si₂H₆、SiCl₄、Si₅H₁₀中的一种。

9.根据权利要求1或3所述的双重图形的形成方法，其特征在于，对所述侧墙进行疏水处理的方法为在所述侧墙表面形成疏水薄膜。

10.根据权利要求9所述的双重图形的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积或原子层沉积工艺形成所述疏水薄膜。

11.根据权利要求10所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述疏水薄膜的厚度小于1nm。

12.根据权利要求11所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述疏水薄膜的材料为硅。

13.根据权利要求2所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅。

14.根据权利要求13所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化硅。

15.根据权利要求1所述的双重图形的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为无定形碳、光刻胶、有机抗反射材料。

16.根据权利要求15所述的双重图形的形成方法，其特征在于，采用灰化工艺去除所述牺牲层。

17.根据权利要求1所述的双重图形的形成方法，其特征在于，对所述待刻蚀层表面及侧墙表面进行清洗的溶液为NH₄OH和H₂O₂的水溶液。

18.根据权利要求3所述的双重图形的形成方法，其特征在于，还包括：以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，形成图形化硬掩膜层；去除所述图形化硬掩膜层上的侧墙，以所述图形化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀材料层，形成待刻蚀图形。

19.根据权利要求18所述的双重图形的形成方法，其特征在于，去除所述图形化硬掩膜层上的侧墙的同时，去除所述缓冲层。

20.根据权利要求19所述的双重图形的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述侧墙和缓冲层。