[发明专利]一种引线框架的制作方法有效
申请号: | 201310455710.9 | 申请日: | 2013-09-28 |
公开(公告)号: | CN103531486A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 黎超丰;邓道斌;郑康定;李昌文;林海见 | 申请(专利权)人: | 宁波康强电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 李迎春 |
地址: | 315105 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 框架 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及引线框架技术领域,具体涉及一种引线框架的制作方法。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体,是制作生产集成电路半导体元件的基本部件。引线框架一般包括多个呈矩阵排列的功能单元,所述功能单元包括中间的装片区(用于安装芯片)和装片区周围的打线区(打线区由多个小焊点组成)。这种引线框架一旦制成,装片区与打线区的尺寸便是固定的,即换过来说,制备不同尺寸(包括装片区、打线区)的引线框架,就需要不同尺寸的模具。所以该引线框架制备过程中,为了制备不同尺寸的引线框架,需要不同尺寸的模具,这使得引线框架的制备成本高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种引线框架的制作方法,该方法可以用于制作不同尺寸的引线框架,且成本低、适用范围广。
本发明所采用的技术方案为:
一种引线框架的制作方法,以矩形的铜合金片为基材,其特征在于包括以下步骤:
(1)半蚀刻:对铜合金片基材正面进行半蚀刻,使在铜合金片基材正面形成呈矩阵排列的圆形凸台,圆形凸台的截面圆直径为0.25-0.35mm、相邻圆形凸台同一水平面的截面圆的圆心距为0.5mm。
(2)电镀:根据预制作的集成电路元件中芯片的大小及需要焊引线的数量选择合适位置的圆形凸台进行表面电镀,形成电镀区,电镀金属为银或镍钯金。举个例子,在圆形凸台的截面圆直径为0.25mm、相邻圆形凸台同一水平面的截面圆的圆心距为0.5mm的情况下:若需安装的芯片为1cm×1cm的方形片、需要焊引线的数量为88根,则电镀选择的圆形凸台为一个23×23方形矩阵圆形凸台的最外面一圈;若需安装的芯片为1cm×1cm的方形片、需要焊引线的数量为180根,则电镀选择的圆形凸台为一个24×24方形矩阵圆形凸台的最外面两圈;若需安装的芯片为0.5cm×0.5cm的方形片、需要焊引线的数量为48根,则电镀选择的圆形凸台为一个13×13方形矩阵圆形凸台的最外面一圈。这里面电镀区作为焊引线之用、即相当于打线区,电镀区内部的区域作为装芯片之用、即相当于装片区,而电镀区和内部的装片区合起来就组成了引线框架的功能单元。
(3)塑封:对步骤(1)中半蚀刻形成的蚀刻区进行塑封,塑封的材料为环氧树脂。
(4)二次背面蚀刻:对铜合金片基材上塑封区下面的区域继续蚀刻并蚀穿,使铜合金片基材形成若干个呈矩阵排列的圆柱形台。
(5)绝缘:对步骤(4)中蚀刻形成的蚀刻区进行绝缘,绝缘的材料为绿油。
(6)切割成型:根据使用需要进行切割,形成包括一个或若干个呈矩阵排列的功能单元的引线框架。若使用仅需要一个功能单元就够了,那么就切割形成一个功能单元的引线框架,若使用需要多个功能单元,那么就切割成相应数量功能单元的引线框架。
本发明引线框架的制作方法在进行蚀刻时,仅仅是蚀刻形成呈矩阵排列的圆形凸台,不管预制作的集成电路元件需要的芯片尺寸是什么、焊引线的数量为多少,蚀刻步骤和使用的模具都一样,而至于预制作的集成电路中装片区和打线区的规格,只要通过电镀时对电镀位置进行一个适合的选择即可,所以本发明引线框架的制作方法步骤简单、使用一个模具就可以实现制作不同尺寸的引线框架、制作成本低、适用范围广。
附图说明
图1所示的是本发明引线框架制作方法的工序示意图。
其中:1、铜合金片;2、圆形凸台;3、电镀区;4、塑封区;5、圆柱形台;6、绝缘区。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步具体描述,但不局限于此。
如图1所示,本实施例引线框架的制作方法,该方法以矩形的铜合金片1为基材,具体包括以下步骤:
(1)半蚀刻:对铜合金片1基材正面进行半蚀刻,使在铜合金片1基材正面形成呈矩阵排列的圆形凸台2,圆形凸台2的截面圆直径为0.25-0.35mm、相邻圆形凸台12同一水平面的截面圆的圆心距为0.5mm,得到图1(a)所示;
(2)电镀:根据预制作的集成电路元件中芯片的大小及需要焊引线的数量选择合适位置的圆形凸台2进行表面电镀,形成电镀区3,电镀金属为银或镍钯金,当为镍钯金时在基材表面依次电镀镍层0.5-2.0um、钯层20-150nm、金层3-15nm,得到如图1(b)所示;
(3)塑封:对步骤(1)中半蚀刻形成的蚀刻区进行塑封,形成塑封区4,塑封的材料为环氧树脂,得到如图1(c)所示;
(4)二次背面蚀刻:对铜合金片1基材上塑封区4下面的区域继续蚀刻并蚀穿,使铜合金片1被蚀刻成呈矩阵排列的圆柱形台5,得到如图1(d)所示;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造