[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管和显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积非晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜上覆盖光学增透薄膜；

对所述光学增透薄膜进行光刻，使得所述光学增透薄膜表面具有阵列排布的聚光结构；

对覆盖有所述光学增透薄膜的非晶硅薄膜进行激光照射，使得所述非晶硅薄膜转化为所述低温多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述对覆盖有所述光学增透薄膜的非晶硅薄膜进行激光照射，使得所述非晶硅薄膜转化为所述低温多晶硅薄膜之前，还包括：

对所述非晶硅薄膜进行去氢处理。

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，

所述聚光结构为凹陷，所述凹陷的底面为球面。

4.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，

所述聚光结构的直径为500nm～5μm，相邻两所述聚光结构的边缘最近距离为500nm～5μm，所述聚光结构的直径与相邻两所述聚光结构的边缘最近距离的比值为1:1。

5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，

所述光学增透薄膜采用厚度为四分之一波长的光学增透薄膜，所述波长为所述激光的波长。

6.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，

所述非晶硅薄膜的厚度为50nm。

7.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述在基板上沉积非晶硅薄膜之前，还包括：

在所述基板上沉积缓冲层。

8.根据权利要求7所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，

所述缓冲层的材质为硅的氮化物或硅的氧化物。

9.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于：

所述激光为准分子激光。

10.一种薄膜晶体管，包括设置于衬底基板上的有源层和位于所述有源层上的绝缘薄膜，其特征在于，

所述有源层的材质为低温多晶硅薄膜；

所述绝缘薄膜为光学增透薄膜，所述光学增透薄膜表面具有阵列排布的聚光结构。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

位于所述衬底基板和所述有源层之间的缓冲层，所述缓冲层的材质为硅的氮化物或硅的氧化物。

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10-11任一项所述的薄膜晶体管。