[发明专利]半导体封装结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底上形成有焊垫层；

形成覆盖所述半导体基底和部分焊垫层表面的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分焊垫层表面的第一开口；

在第一开口的侧壁和底部以及钝化层上形成凸下金属层；

形成覆盖所述凸下金属层的第一掩膜层，所述第一掩膜层具有暴露第一开口上的部分凸下金属层的第二开口；

在第二开口中形成金属柱；

去除所述第一掩膜层；

刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层，金属柱底部剩余的凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；

在金属柱两侧的部分钝化层上形成牺牲层，所述牺牲层填充所述底切缺陷；

形成覆盖所述牺牲层、钝化层和金属柱的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露牺牲层远离金属柱一端表面的第三开口；

沿第三开口去除所述牺牲层，形成空腔，所述空腔与第三开口连通，并暴露出底切缺陷；

形成填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属；

去除所述第二掩膜层。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料与凸下金属层材料、金属柱材料、第二掩膜层材料均不相同。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为SiO₂、SiN、SiON、多晶硅或无定形碳。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度大于或等于凸下金属层的厚度，牺牲层的宽度大于底切缺陷的宽度。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述补偿层为单层或多层堆叠结构。

6.如权利要求5所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述补偿层为双层堆叠结构，所述双层堆叠结构包括浸润金属层、位于浸润金属层上且填充底切缺陷的填充金属层。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述浸润金属层为镍、钛、钽中的一种或几种，所述填充金属层为铝、钨、铜、银、锡、铂、金中的一种或几种。

8.如权利要求5所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述补偿层的形成工艺为选择性化学镀。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层表面还形成有聚合物层。

10.如权利要求1所述的半导体封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在金属柱顶部表面上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成凸点。