[发明专利]一种基于板级功能基板的封装工艺及封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种基于板级功能基板的封装工艺及其封装结构。

背景技术

随着信息技术的不断发展，手机和各种电子产品越来越向轻薄短小的方向发展，手机电脑的性能越来越高，体积变得越来越小，对芯片和器件的集成度要求也越来越高。随着大规模集成电路的不断发展和革新，线宽已经接近22纳米，集成度达到空前的水平。对于技术和设备的要求也达到了一个全新的高度。线宽进一步变小的难度越来越大，技术和设备的加工能力的提升难度更大，技术和设备水平的发展趋于减缓。

这种情况下，3D高密度封装受产业界广泛的重视，一个器件中的芯片不再是一个，而是多个，并且不再是只在一层排列，而是堆叠成三维高密度微组装芯片。芯片三维堆叠有效减少了器件的三维尺寸，芯片间的堆叠方式也在不断的改进。从FLIP CHIP到硅基TSV（Through Silicon Via）通孔互联技术，器件的三维尺寸变得越来越小。封装工艺也从原来的键合、贴片、塑封，演变成引入前段工艺的RDL、Flip Chip、晶圆键合、TSV等等关键工艺技术，使得更芯片密度更大、尺寸更小的封装结构不断涌现。

现有的电路板和有机封装基板的制造方法中，在有机基板埋入有源器件芯片并不是适用于所有的芯片，一方面受到其芯片本身功能上限制，另外还有一个重要的原因是现有的很多芯片上结构不能很好的兼容其基板工艺，比如有源埋入的器件要求其pad的材料是金或铜，而现有的芯片多数是打线用的Al凸点，而Al凸点上盲孔制作以及后续的化铜电镀等工艺均不能在基板线中的开展制作。

发明内容

本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。

鉴于上述和/或现有半导体封装中存在的问题，提出了本发明。

因此，本发明的目的是提出一种基于板级功能基板的封装工艺，解决目前芯片的制作工艺与功能基板的制作工艺不兼容的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了如下技术方案：一种基于板级功能基板的封装工艺，包括，提供两个初级封装组件，每个初级封装组件其一侧形成有单面线路图形，所述单面线路图形包括凸点，且与待封装的芯片的主侧的图形位置相对应，所述芯片的主侧安装于所述凸点上；将两个初级封装组件相向的压合形成次级封装组件，压合后两个初级封装组件中的两个有机基板夹持安装于所述有机基板上的芯片，所述次级封装组件具有第一主面和与第一主面相对的第二主面；自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处；在所述次级封装组件上开设通孔，所述通孔贯穿所述次级封装组件；在所述盲孔以及所述通孔内进行化金属作为种子层，然后进行填孔电镀；进行第一外层线路层的制作。

作为本发明所述基于板级功能基板的封装工艺的一种优选方案，其中：所述提供两个初级封装组件，其中每个初级封装组件的制作工艺包括，提供一有机基板；在所述有机基板一侧形成单面线路图形，所述单面线路图形包括凸点，且与待封装的芯片的主侧的图形位置相对应；将所述芯片的主侧的与所述凸点相对应的图形位置通过导电材料黏结安装于所述凸点上，并填充所述有机基板一侧的单面线路图形与所述芯片的主侧之间的空隙得到初级封装组件。

作为本发明所述基于板级功能基板的封装工艺的一种优选方案，其中：在进行第一外层线路层的制作后，还包括，在所述第一外层线路层的两个表面进行外层线路介质层的压合；在外层线路介质层进行介质层盲孔的制作；进行外层线路介质层的介质层盲孔填孔电镀；进行第二外层线路层的制作。

作为本发明所述基于板级功能基板的封装工艺的一种优选方案，其中：在进行第二外层线路层的制作后，还包括，在所述第二外层线路层进行外层阻焊层的制作；进行后续的芯片的组装或植球。

作为本发明所述基于板级功能基板的封装工艺的一种优选方案，其中：所述有机基板包括有机层以及夹持所述有机层的分别位于所述有机层的两个金属层，在有机基板一侧形成单面线路图形之前，其还包括，对所述有机基板的两个金属层进行增金属工艺，使得增金属后所述有机基板的两个金属层增厚。

作为本发明所述基于板级功能基板的封装工艺的一种优选方案，其中：所述将两个初级封装组件相向的压合形成次级封装组件后，其还包括，将所述次级封装组件的第一主面和第二主面上的金属进行减薄。