[发明专利]一种Zigbee的温度传感器制作方法

权利要求书

1. 一种Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于，按照如下步骤进行： 　　

（1）在衬底(1)上面涂覆一层聚二甲基硅氧烷层(9)，并将聚二甲基硅氧烷层表面进行氧等离子体活化处理；紧接着在所述聚二甲基硅氧烷层(9)上面重叠聚酰亚胺预聚体，经过阶梯式热固化后，形成聚酰亚胺层(7)； 　　

（2）在衬底(1)下面采用低压化学气相淀积工艺或等离子增强化学气相淀积工艺淀积一层下衬底膜层(2)；

（3）在衬底(1)局部中心细加工出凹槽(9)； 　　

（4）采用磁控溅射工艺在聚酰亚胺层(7)上溅射一层粘附层(3)；  　

（5）采用磁控溅射工艺在粘附层(3)上面溅射一层温敏电阻层(4)；  　　

（6）采用磁控溅射工艺在温敏电阻层(4)上面溅射一层导电层(5)；  　　

（7）将衬底(1)放入酒精容器内，采用超声剥离工艺剥离掉温敏电阻层(4)结构图形以外的粘附层(3)、温敏电阻层(4)、导电层(5)，衬底(1)上两侧露出聚酰亚胺层(7)，形成粘附层(3)、温敏电阻层(4)、导电层(5)结构层；  　　

（8）在导电层(5)结构层上涂一层光刻胶，采用光刻工艺光刻形成导电层(5)电极结构图形；  　　

（9）采用碘化钾湿法腐蚀工艺，腐蚀温敏电阻层(4)上面中间部位的导电层(5)，露出中间部位的温敏电阻层(4)，温敏电阻层(4)两端形成导电层(5)电极结构；  　　

（10）在衬底(1)上露出的两侧聚酰亚胺层(7)上、露出中间部位的温敏电阻层(4)上、导电层(5)电极结构上面涂一层光刻胶，光刻出悬臂梁(6)结构图形；  　　

（11）采用等离子体刻蚀工艺在聚酰亚胺层(7)上面刻蚀形成悬臂梁(6)结构，露出聚酰亚胺层(7)下面的聚二甲基硅氧烷层(9)；  　　

（12）采用氢氟酸缓冲液腐蚀掉露出聚酰亚胺层(7)下面的聚二甲基硅氧烷层(9)、悬臂梁(6)结构下面的聚二甲基硅氧烷层(9)，形成悬空的悬臂梁(6)结构；  　　

（13）采用硅各向异性湿法腐蚀工艺腐蚀衬底(1)形成腔体结构，悬臂梁(6)、粘附层(3)、温敏电阻层(4)、导电层(5)悬空固定在衬底(1)腔体上，完成温度传感器制作。

2. 根据权利要求1所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于：所述聚二甲基硅氧烷层(9)厚度为30-35μm，它采用二次变速方法涂覆于加工载体上的，初始速度为150rpm，使被涂覆的聚二甲基硅氧烷覆盖在整个衬底(1)上，在缓慢提速至900rpm，保持40s，然后再缓慢提速至4500rpm，并在室温下固化48h。

3.根据权利要求1所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于：所述聚二甲基硅氧烷层(9)表面的活化处理是采用氧等体活化处理，处理条件为100％氧气，压强为15mTorr，功率为50W，时间为30s。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于：所述聚二甲基硅氧烷层(9)上面四次重叠涂覆液态高粘度聚酰亚胺预聚体的阶梯式热固化的工艺是每重叠涂覆一次的转速比前一次的转速提高200rpm；每次重叠涂覆后的预烘温度比前一次高5℃，并采用“由表及里”的阶梯式热处理方法预固化聚酰亚胺预聚物；最后一次聚酰亚胺预热聚体涂覆后，热板温度由95℃上升到200℃保温15min，然后缓慢降温至室温；所述聚酰亚胺预聚体的粘度为6000-7000mPa·s，形成聚酰亚胺层厚度为25-35mm。

5.根据权利要求4所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于：所述温敏电阻层(4)厚度尺寸为5纳米至400纳米，采用磁控溅射的溅射浆料制备方法：是将有机铂化合物或有机金化合物150-190℃加热15-30分钟，得到由有机铂或有机金化合物的微分解固化物、超细铂粉或金粉、低分子量有机物、超细碳粉组成的混合物，将此混合物添加有机铑化合物、有机铋化合物、有机铅化合物、有机硅化合物、有机铬化合物、有机铜化合物、有机硼化合物中的一种或二种以上，铂或金与铑的重量比例控制在1∶0.0001～0.0005，金或铂与其他金属的比例(重量)控制在1∶0.003～0.02之间，同时添加树脂和溶剂，形成混合型铂浆料或金浆料。

6.根据权利要求4所述的Zigbee的温度传感器制作方法，其特征在于：所述下衬底膜层(2)的厚度尺寸为300纳米至3000纳米。