[发明专利]防止反向电流传输的上拉电阻电路与输入输出端口电路无效
申请号: | 201310459230.X | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN103501173A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 214135 江苏省无锡市无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 反向 电流 传输 电阻 电路 输入输出 端口 | ||
1.一种防止反向电流传输的上拉电阻电路,其特征在于,所述上拉电阻电路包括:输入输出端口、开关电路、第一P型场效应晶体管、第一N型场效应晶体管和电源;
所述开关电路串联连接于所述输入输出端口与所述电源之间;
所述第一N型场效应晶体管与所述第一P场效应型晶体管共栅连接于所述电源;
所述第一N型场效应晶体管的漏极与所述第一P型场效应晶体管的漏极连接,并与所述开关电路的控制端连接;
当所述电源无电,且所述输入输出端口有电时,所述第一N型场效应晶体管关断,所述第一P型场效应晶体管导通,所述第一P型场效应晶体管的漏极电压控制所述开关电路断开所述电源与所述输入输出端口的连接。
2.根据权利要求1所述的上拉电阻电路,其特征在于,当所述电源有电,且所述输入输出端口无电时,所述第一N型场效应晶体管导通,所述第一P型场效应晶体管关断,所述第一P场效应晶体管的漏极电压控制所述开关电路闭合所述电源与所述输入输出端口的连接。
3.根据权利要求1或2所述的上拉电阻电路,其特征在于,所述开关电路包括第二P型场效应晶体管和所述第三P型场效应晶体管;
所述第二P型场效应晶体管与所述第三P型场效应晶体管串联连接,所述第二P型场效应晶体管的漏极与所述电源连接,所述第三P型场效应晶体管的源极与所述输入输出端口连接,所述第二P型场效应晶体管与所述第三P型场效应晶体管共栅连接,形成所述开关电路的控制端,并与所述第一N型场效应晶体管的漏极、所述第一P型场效应晶体管的漏极连接;
当所述电源无电,且所述输入输出端口有电时,所述第一N型场效应晶体管关断,所述第一P型场效应晶体管导通,所述第一P型场效应晶体管的漏极电压被拉升至等于所述输入输出端口的电压,使得所述第二P型场效应晶体管与所述第三P型场效应晶体管关断,进而断开所述电源与所述输入输出端口的连接;
当所述电源有电,且所述输入输出端口无电时,所述第一N型场效应晶体管导通,所述第一P型场效应晶体管关断,所述第一P场效应晶体管的漏极电压被下拉至OV,使得所述第二P型场效应晶体管与所述第三P型场效应晶体管导通,进而闭合所述电源与所述输入输出端口的连接。
4.根据权利要求3所述的上拉电阻电路,其特征在于,所述开关电路还包括负载电阻。
5.根据权利要求4所述的上拉电阻电路,其特征在于,所述负载电阻一端与所述第二P型场效应晶体管的源极连接,另一端与所述第三P型场效应晶体管的漏极连接;或者
所述负载电阻一端与所述电源连接,另一端与所述第二P型场效应晶体管的漏极连接;或者
所述负载电阻一端与所述第三P型场效应晶体管的源极连接,另一端与所述输入输出端口连接。
6.一种输入输出端口电路,其特征在于,所述输入输出端口电路包括:如权利要求1-5任一项所述的防止反向电流传输的上拉电阻电路和驱动电路;
所述驱动电路与所述上拉电阻电路中的第一P型场效应晶体管的源极和所述上拉电阻电路中的开关电路连接。
7.根据权利要求6所述的输入输出端口电路,其特征在于,所述驱动电路包括:反相器、缓冲器和第二N型场效应型晶体管;
所述第二N型场效应晶体管的栅极与所述反相器的输出端连接,所述第二N型场效应型晶体管的漏极与所述第一P型场效应晶体管的源极连接,所述第二N型场效应型晶体管的源极与地端连接,所述缓冲器的输入端与所述开关电路连接。
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