[发明专利]一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅薄膜太阳电池，包括硅纳米线阵列结构，该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线，所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜，其特征在于：所述硅纳米线的顶端不具有所述金属薄膜的金属材料。

2.如权利要求1所述的硅薄膜太阳电池，其特征在于，所述硅纳米线上覆盖有多个功能层。

3.如权利要求1所述的制造硅薄膜太阳电池的方法，其特征在于，所述催化剂为掺锡氧化铟或氧化锡，所述金属纳米颗粒为金属铟或锡纳米颗粒。

4.如权利要求1所述的硅薄膜太阳电池，其特征在于，所述功能层为本征硅薄膜层和p型非晶硅层，所述硅纳米线为n型掺杂，由此形成n-i-p径向结构。

5.一种制造硅薄膜太阳电池的方法，所述硅薄膜太阳电池包括硅纳米线阵列结构，其特征在于，所述方法包括：在覆盖有作为催化剂的金属薄膜的衬底上形成硅纳米线，之后，将其放入一定浓度的酸溶液中，清除硅纳米线顶端的金属。

6.如权利要求5所述的制造硅薄膜太阳电池的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S1：在一个衬底上溅射形成作为催化剂的金属薄膜；

步骤S2：使所述催化剂薄膜形成金属纳米颗粒；

步骤S3：在衬底上具有金属纳米颗粒的地方形成硅纳米线；

步骤S4：对硅纳米线进行酸处理，去除所述纳米线顶端的金属纳米颗粒；

步骤S5：在所述硅纳米线的表面形成覆盖该硅纳米线的其他功能层。

7.如权利要求5或6所述的制造硅薄膜太阳电池的方法，其特征在于，所述衬底为不锈钢衬底、带有透明导电膜的玻璃或聚脂膜。

8.如权利要求5或6所述的制造硅薄膜太阳电池的方法，其特征在于，所述催化剂为掺锡氧化铟或氧化锡，所述金属纳米颗粒为金属铟或锡纳米颗粒。

9.如权利要求5或6所述的制造硅薄膜太阳电池的方法，其特征在于，所述硅纳米线为n型掺杂，所述功能层为本征硅薄膜层和p型非晶硅层，由此形成n-i-p径向结构。

10.如权利要求9所述的制造硅薄膜太阳电池的方法，其特征在于，所述步骤S4为：将沉积有n型硅纳米线的不锈钢衬底放入浓度为2％～5％的酸溶液中，反应5分钟～10分钟。