[发明专利]集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法

权利要求书

1.集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

1)采集面向集成电路封装过程的X射线图像；

2)将X射线图像进行拉普拉斯金字塔分解，获得各尺度的X射线金字塔细节图像；

3)对金字塔中底层采用对数增强方法调整图像的亮度和对比度；

4)对金字塔中顶层的细节图像直方图均衡化增强方法调整图像的亮度和对比度；

5)对各尺度下的细节图像进行重建得到细节增强的图像。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法，其特征在于：步骤2)所述将X射线图像进行拉普拉斯金字塔分解，具体如下：

2.1)对原图像采用低通滤波和下采样得到一个粗尺度的近似图像，即分解得到的低通近似图像；

2.2)将得到的低通近似图像进行插值和滤波，再计算低通近似图像和原图像的差值，得到图像的细节部分；

2.3)在得到的低通近似图像采用低通滤波和下采样进行下一级分解，得到新的低通近似图像；

2.4)重复执行步骤2.2)～2.3)，完成多尺度分解。

3.根据权利要求2所述的集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法，其特征在于：步骤2)中，图像的拉普拉斯金字塔生成存在一个与图像缩小相反的扩大过程，即把第l层图像扩大到与第l-1层图像相同的过程：

a)定义图像的扩大算子Expand为：

gl*=Expand(gl)]]>

g_l^*和g_l-1尺寸相同，具体通过对第l层图像进行插值放大得到：

gl*(i,j)=4Σm=-22Σn=-22w(m,n)gl(2i+m,2j+n)]]>

该式中，当且仅当坐标为整数时成立；

b)拉普拉斯金字塔第l层图像可定义为：

bl(i,j)=gl(i,j)-4Σm=-22Σn=-22w(m,n)gl+1(2i+m,2j+n)]]>

即

b_l(i，j)＝g_l(i，j)-Expand(g_l+1)

完整的拉普拉斯金字塔定义如下：

bl(i,j)=gl(i,j)-Expand(gl+1),0≤l<LbL(i,j)=gN(i,j),i=L]]>

其中，L为金字塔的总层数。