[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310460013.2 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104517888B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张帅;居建华;俞少峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括FinFET区域和平面器件区域；
在所述半导体衬底上依次形成牺牲材料层和硬掩膜层；
图案化所述硬掩膜层和所述牺牲材料层形成与平面器件区域将形成的隔离区域对应的开口图案；
图案化所述FinFET区域中的所述硬掩膜层，以用于定义鳍片；
根据图案化的所述硬掩膜层刻蚀所述牺牲材料层和半导体衬底，以在所述半导体衬底的所述FinFET区域中形成第一浅沟槽和位于所述第一浅沟槽之间的鳍片，在所述半导体衬底的所述平面器件区域中形成第二浅沟槽；
在所述半导体衬底上形成隔离材料层，以完成对所述第一浅沟槽和第二浅沟槽的填充；
平坦化所述隔离材料层，以使所述隔离材料层与所述牺牲材料层的顶部齐平；
部分去除所述隔离材料层；
去除所述牺牲材料层；
在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述平面器件区域露出所述FinFET区域；
回刻蚀FinFET区域中的所述隔离材料层，以形成第一浅沟槽隔离结构；
去除所述光刻胶层，同时在所述平面器件区域形成第二浅沟槽隔离结构。
2.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述第二浅沟槽隔离结构与半导体衬底的表面具有台阶。
3.根据要求2所述的方法，其特征在于，所述台阶的高度由所述牺牲材料层层去除之前的所述隔离材料层去除量所决定。
4.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述第二浅沟槽比所述第一浅沟槽深。
5.根据要求4所述的方法，其特征在于，所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽之间的深度差由所述硬掩膜层和所述牺牲材料层的厚度以及刻蚀的选择比所决定。
6.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述FinFET区域的有源区和所述平面器件区域的有源区之间形成有台阶。
7.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为体硅。
8.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化物，所述隔离材料层的材料为氧化物。
9.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层和所述半导体衬底之间还形成有垫氧化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
