[发明专利]一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310460043.3 申请日: 2013-09-28
公开(公告)号: CN103474572A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 孙清清;戴亚伟;王鹏飞;张卫;周鹏 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;G11C13/00
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 柔性 衬底 具有 crs 行为 存储器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1. 一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器,其特征在于,包括:

由柔性材料组成的衬底;

位于上述衬底之上的底部电极层;

位于底部电极层之上的阻变功能层;

位于阻变功能层之上的顶部电极层。

2. 一种如权利要求1所述的基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器的制备方法,其特征在于具体步骤为:

(1)在柔性衬底上悬涂一层底部电极;

(2)采用低温原子层淀积方法在低反应温度下,生长介质层;

(3)在上述步骤形成的结构上,采用物理气相淀积方法制备活跃的顶部电极,自然构造堆栈功能层;

(4)然后用物理气相淀积方法生长惰性顶部电极。

3. 根据权利要求2 所述的制备方法,其特征在于,所述的衬底材料为聚乙烯对苯二酸脂、聚酰亚胺、硅橡胶、聚对苯二甲酸乙二醇脂或硅树脂有机聚合物材料,或者金属陶瓷材料。

4. 根据权利要求2 所述的制备方法,其特征在于,所述的顶部活跃电极材料为Ni或Ti,顶部惰性电极材料为Pt、Al、Au或者Pd。

5. 根据权利要求2 所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述介质层的生长采用低温原子层淀积方法,其步骤包括多个循环生长周期,对于每个生长周期,交替脉冲式地通入金属有机源和另一种气体或者液体源,并进行两次吹洗以保证自限制生长,通过控制生长不同的循环周期数,最终获得所需厚度薄膜。

6. 根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述介质层材料为Al2O3、HfO2、ZrO2或TiO2金属氧化物。

7. 根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述堆栈功能层材料为Al2O3-x/NiOx,HfO2-x/NiOx,ZrO2-x/NiOx,或TiO2-x/NiOx

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