[发明专利]一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法无效
申请号: | 201310460043.3 | 申请日: | 2013-09-28 |
公开(公告)号: | CN103474572A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 孙清清;戴亚伟;王鹏飞;张卫;周鹏 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C13/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 柔性 衬底 具有 crs 行为 存储器 及其 制备 方法 | ||
1. 一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器,其特征在于,包括:
由柔性材料组成的衬底;
位于上述衬底之上的底部电极层;
位于底部电极层之上的阻变功能层;
位于阻变功能层之上的顶部电极层。
2. 一种如权利要求1所述的基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器的制备方法,其特征在于具体步骤为:
(1)在柔性衬底上悬涂一层底部电极;
(2)采用低温原子层淀积方法在低反应温度下,生长介质层;
(3)在上述步骤形成的结构上,采用物理气相淀积方法制备活跃的顶部电极,自然构造堆栈功能层;
(4)然后用物理气相淀积方法生长惰性顶部电极。
3. 根据权利要求2 所述的制备方法,其特征在于,所述的衬底材料为聚乙烯对苯二酸脂、聚酰亚胺、硅橡胶、聚对苯二甲酸乙二醇脂或硅树脂有机聚合物材料,或者金属陶瓷材料。
4. 根据权利要求2 所述的制备方法,其特征在于,所述的顶部活跃电极材料为Ni或Ti,顶部惰性电极材料为Pt、Al、Au或者Pd。
5. 根据权利要求2 所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述介质层的生长采用低温原子层淀积方法,其步骤包括多个循环生长周期,对于每个生长周期,交替脉冲式地通入金属有机源和另一种气体或者液体源,并进行两次吹洗以保证自限制生长,通过控制生长不同的循环周期数,最终获得所需厚度薄膜。
6. 根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述介质层材料为Al2O3、HfO2、ZrO2或TiO2金属氧化物。
7. 根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述堆栈功能层材料为Al2O3-x/NiOx,HfO2-x/NiOx,ZrO2-x/NiOx,或TiO2-x/NiOx。
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