[发明专利]固态成像装置和电子装置

权利要求书

1.一种固态成像装置，其包括：

电荷累积单元，所述电荷累积单元用于累积经光电转换的电荷，所述电荷累积单元形成在硅基板上；

信号电压检测单元，所述信号电压检测单元用于检测与所述电荷累积单元中所累积的所述电荷相对应的信号电压，所述信号电压检测单元形成在所述硅基板上；

传输晶体管，所述传输晶体管用于将所述电荷累积单元中所累积的所述电荷传输到所述信号电压检测单元，所述传输晶体管形成在所述硅基板上；和

钉扎层，所述钉扎层用于钉扎所述硅基板的表面使得所述表面被充满电子空穴，所述钉扎层在栅极端处直接形成在所述硅基板上，其中在所述栅极端处，所述传输晶体管的栅极电极与所述电荷累积单元在所述硅基板上彼此接触。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，

所述电荷累积单元形成为具有n型半导体区域和p型半导体区域，所述n型半导体区域形成在所述硅基板中以具有第一深度，且所述p型半导体区域形成在所述硅基板中以具有第二深度，所述第二深度比所述第一深度更靠近所述栅极电极。

3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，

所述n型半导体区域是通过在所述硅基板上注入n型杂质离子形成的，且

所述p型半导体区域是由所述钉扎层形成的。

4.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中，

所述n型杂质离子是在所述栅极电极形成在所述硅基板上之后在所述硅基板上被注入的。

5.根据权利要求2所述的固态成像装置，其还包括：

侧壁，所述侧壁覆盖所述栅极电极，

其中，所述p型半导体区域是在所述侧壁形成在所述硅基板上之后通过在所述硅基板上注入p型杂质离子形成的。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的固态成像装置，其中，

所述钉扎层包括基于铪的绝缘膜和基于铝的绝缘膜中的一种。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的固态成像装置，其中，

所述钉扎层在所述栅极端处直接形成在所述硅基板上，并且所述钉扎层形成在所述栅极电极的侧表面上。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的固态成像装置，其还包括：

侧壁，所述侧壁覆盖所述栅极电极，

其中，所述钉扎层在包括所述栅极端在内的所述侧壁的下方直接形成在所述硅基板上，并且所述钉扎层形成在所述栅极电极的侧表面上。

9.一种电子装置，其包括前述权利要求1-8中任一项所述的固态成像装置。