[发明专利]闪烁多电平阈值分布方案无效
申请号: | 201310460506.6 | 申请日: | 2007-09-12 |
公开(公告)号: | CN103531238A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 金镇祺 | 申请(专利权)人: | 莫塞德技术公司 |
主分类号: | G11C16/12 | 分类号: | G11C16/12;G11C16/34;G11C11/56 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪烁 电平 阈值 分布 方案 | ||
1.一种用于验证耦合到位线的闪烁存储器单元的编程状态的方法,包括:
使用负的参考电压驱动连接到所述闪烁存储器单元的字线;
如果所述位线的电压电平响应于处于所述负的参考电压的字线而改变,则确定未能将所述闪烁存储器单元编程到所述编程状态。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在驱动所述字线之前将所述位线预充电到所述电压电平。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述确定包括响应于处于所述负的参考电压的字线在所述闪烁存储器单元导通时感应所述位线的电压电平的改变。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述编程状态对应于第一单元状态,并且所述负的参考电压大于与所述闪烁存储器单元的第二单元状态对应的负的阈值电压。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第二单元状态对应于擦除状态。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第二单元状态对应于另一个编程状态。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述编程状态具有由较低电压限和较高电压限定义的阈值电压范围,所述较高电压限大于所述较低电压限,所述较低电压限是负的电压。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述较高电压限是另一个负的电压。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述较高电压限是正的电压。
10.根据权利要求3所述的方法,其中,所述编程状态对应于第一编程状态,并且所述闪烁存储器单元可编程到第二编程状态,所述第二编程状态具有大于所述较高电压限的阈值电压。
11.一种存储器装置,包括:
具有按行和列布置的存储器单元的存储器阵列,每一个存储器单元是可擦除的以具有负的擦除阈值电压并且是可在编程操作中编程的以具有至少一个负的编程阈值;以及
字线驱动器,其使用用于在编程操作期间将所述负的擦除阈值电压改变到所述至少一个负的编程阈值电压的编程电压来选择性地驱动连接到存储器单元的栅极端子的字线。
12.根据权利要求11所述的存储器装置,其中,
每一个存储器单元是可编程的以具有正的编程阈值电压。
13.根据权利要求11所述的存储器装置,其中,
每一个存储器单元存储与2N个阈值电压对应的N位的数据,其中N是至少为2的整数值。
14.根据权利要求13所述的存储器装置,其中,所述2N个阈值电压中的第一部分具有负的阈值电压,并且所述2N个阈值电压中的第二部分具有正的阈值电压。
15.根据权利要求14所述的存储器装置,其中,
所述2N个阈值电压中的第一部分中的一个具有负的阈值电压,
所述第一部分包括所述2N个阈值电压中的一半,
所述第一部分包括所述2N个阈值电压中的一半以上,或者
所述第一部分包括所述2N个阈值电压中的不到一半。
16.根据权利要求12所述的存储器装置,其中,
所述存储器阵列中的至少一个存储器单元是可编程的以具有第一单元状态和第二单元状态中的一个,所述第一单元状态具有在负电压和正电压之间的阈值电压范围内的阈值电压。
17.根据权利要求16所述的存储器装置,其中,所述第二单元状态具有第二阈值电压,所述第二阈值电压小于所述第一单元状态的阈值电压。
18.根据权利要求17所述的存储器装置,其中,
所述第一单元状态对应于擦除状态或编程状态,并且所述第二单元状态对应于另一个编程状态,
所述第一单元状态对应于第一编程状态并且所述阈值电压范围是第一阈值电压范围,并且所述第二单元状态对应于第二编程状态,所述第二编程状态具有在第二阈值电压范围内的第二阈值电压,所述第二阈值电压范围低于所述第一阈值电压范围,或者
所述第二单元状态对应于擦除状态。
19.根据权利要求18所述的存储器装置,还包括:具有擦除阈值电压范围的擦除状态,所述擦除阈值电压范围低于所述第二阈值电压范围。
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