[发明专利]一种在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法有效
| 申请号： | 201310461761.2 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104512878A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 赵斌元;王菲;周洁;宁月生;赖奕坚;梅倩;王垒;甘琦;胡筱君 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 成型 多孔 表面 生长 立方体 纳米 氧化亚铜 颗粒 方法 | ||
1.一种在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，为采用成型多孔碳还原铜盐溶液获得所述的立方体纳米氧化亚铜颗粒。
2.如权利要求1所述的在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
（1）清洗成型多孔碳：将成型多孔碳以去离子水超声振荡清洗多次后，于60～120℃下干燥，置于干燥器中备用；
（2）成型多孔碳表面生长氧化亚铜颗粒：用去离子水配制不同浓度的铜盐溶液，将备用成型多孔碳避光浸渍于铜盐溶液中一段时间后，取出烘干即在成型多孔碳的表面生长出立方体纳米氧化亚铜颗粒。
3.如权利要求1或2所述的在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，其特征在于，所述成型多孔碳为活性炭、竹炭、多孔石墨碳或碳纤维中的一种。
4.如权利要求1或2所述的在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，其特征在于，所述成型多孔碳的比表面积达到200m2/g以上、导电率为200～1000S/m。
5.如权利要求1或2所述的在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，其特征在于，所述铜盐为硝酸铜、硫酸铜、醋酸铜或氯化铜中的一种。
6.如权利要求1或2所述的在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，其特征在于，所述铜盐中铜离子的浓度为100～10000ppm。
7.如权利要求2所述的在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，其特征在于，所述成型多孔碳浸渍于所述铜盐溶液中的反应温度为5～50℃，反应时间为1min～30min。
8.一种立方体纳米氧化亚铜颗粒，由权利要求1-7中任一项的方法制备获得。
9.如权利要求8所述的立方体纳米氧化亚铜颗粒，其特征在于，所述立方体纳米氧化亚铜颗粒是颗粒大小均匀、平均边长在50～500nm、形状规则的立方体氧化亚铜颗粒。
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