[发明专利]一种半导体型碳纳米管的富集方法无效
| 申请号： | 201310461778.8 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103482607A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 邱汉迅;申潇;杨俊和;王颖慧;李静;杨光智;张慧娟;唐志红;赵斌 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 富集 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体型碳纳米管的富集方法，其特征在于具体包括如下步骤：
（1）、将固体氧化性化合物溶解在液体试剂中，控制固体氧化性化合物浓度为0.1-0.4mg/ml，即得浓度为0.1-0.4mg/ml的固体氧化性化合物溶液；
所述固体氧化性化合物为四氟硼酸硝、四氟硼酸亚硝或氟硼酸重氮盐；
所述液体试剂为去离子水、乙醇、四氯甲烷、三氯甲烷、四氢呋喃或二甲基甲酰胺；
（2）、将需要纯化的单壁碳纳米管借助磁力搅拌、高剪切混合或超声分散方法将其均匀分散到上述所得的固体氧化性化合物溶液中，控制单壁碳纳米管浓度为0.1-0.5mg/ml，即得到浓度为0.1-0.5mg/ml碳纳米管分散液；
（3）、将上述所得的碳纳米管分散液置于微波反应器中，控制温度40-150℃，时间25-120min进行反应，得到反应液；
（4）、将上述所得的反应液真空过滤，所得的滤饼用去离子水洗涤至流出液的pH值为中性后，将滤饼在空气中自然干燥24h后，再将滤饼在真空或者惰性气氛中进行退火后，即得半导体型碳纳米管；
上述的退火过程控制温度为600-1000℃，时间为30-60min；
所述的惰性气体为氩气、氦气或氮气。
2.如权利要求1所述的一种半导体型碳纳米管的富集方法，其特征在于所述的需要纯化的单壁碳纳米管采用高压一氧化碳裂解法、电弧放电法、化学沉积法或激光刻蚀法制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学，未经上海理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310461778.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石墨烯-氧化铜三维泡沫复合材料
- 下一篇：一种小型化的升降导轨支承装置
