[发明专利]磁头、磁记录再现装置及磁头的制造方法

权利要求书

1.一种磁头，其特征在于，具备：

第一再现元件；

第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成；

第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成；

第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成；

第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和

第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。

2.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于，

所述第一再现元件及所述第二再现元件是自旋阀型的隧道磁阻效果式的再现元件，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜是偏压膜，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜被起磁。

3.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于，

所述第一再现元件及所述第二再现元件的每个都具备：将第一磁化自由层、非磁性金属层和与所述第一磁化自由层磁结合的第二磁化自由层层叠的层叠结构；和对于所述层叠结构从介质相对面在进深方向上设置的磁化起磁偏压膜，

所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜包括软磁性体。

4.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于，

还具备：

第三再现元件，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第三磁性膜上形成；

第五磁性膜，其在所述第三磁性膜上形成；和

第六磁性膜，其与所述第三再现元件电绝缘且在所述第二再现元件上形成。

5.根据权利要求4所述的磁头，其特征在于，

所述第一再现元件、所述第二再现元件及所述第三再现元件是自旋阀型的隧道磁阻效果式的再现元件，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜是偏压膜，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜被起磁。

6.根据权利要求4所述的磁头，其特征在于，

所述第一再现元件、所述第二再现元件及所述第三再现元件的每个都具备：将第一磁化自由层、非磁性金属层和与所述第一磁化自由层磁结合的第二磁化自由层层叠的层叠结构；和对于所述层叠结构从介质相对面在进深方向上设置的磁化起磁偏压膜，

所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜包括软磁性体。

7.一种磁记录再现装置，具备磁头，其特征在于，

所述磁头具备：

第一再现元件；

第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成；

第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成；

第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成；

第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和

第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。

8.一种磁头的制造方法，其特征在于，

在第一磁屏蔽件上形成第一再现元件层，

在所述第一再现元件膜上，有选择地形成用于将所述第一再现元件膜加工为规定的尺寸的第一掩模材料，

通过使用所述第一掩模材料来作为掩模将所述第一再现元件层及所述第一磁屏蔽件蚀刻，而形成由所述第一再现元件层构成的第一再现元件，并在所述第一再现元件的两侧部的所述第一磁屏蔽件形成凹部，

在所述凹部上及所述第一再现元件的侧部上形成第一绝缘层，

在所述第一绝缘层上形成第一磁性膜，

有选择地除去所述第一掩模材料，

在所述第一绝缘层、所述第一磁性膜及所述第一再现元件上形成第二再现元件层，

在所述第二再现元件层上且不与所述第一再现元件重叠的位置处有选择地形成第二掩模材料，

通过使用所述第二掩模材料来作为掩模将所述第二再现元件层蚀刻，而形成第二再现元件，

在所述第二再现元件的侧面形成第二绝缘层，

在所述第一磁性膜、所述第一绝缘层及所述第一再现元件上形成第二磁性膜，

在所述第二磁性膜上形成第三绝缘层，

有选择地除去所述第二掩模材料，

在所述第三绝缘层及所述第二再现元件上形成第三磁性膜。