[发明专利]晶片叠层体、器件晶片及承载晶片的粘合及剥离处理方法无效
申请号: | 201310462164.1 | 申请日: | 2013-09-30 |
公开(公告)号: | CN103715126A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 蔡成芫;徐荣得;安兴基;太景燮;金光武 | 申请(专利权)人: | 怡诺士有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 叠层体 器件 承载 粘合 剥离 处理 方法 | ||
1.一种叠层体,其特征在于,包括:
器件晶片;
保护层,其形成于上述器件晶片的一面;
承载晶片,其用于支撑上述器件晶片;
填充层,其形成于上述承载晶片的一面;以及
光分解层,其形成于上述填充层上的一部分,与上述保护层相接触,来使器件晶片与承载晶片临时接合。
2.一种叠层体,其特征在于,包括:
器件晶片;
承载晶片,其用于支撑上述器件晶片;
保护层,其形成于上述承载晶片的一面;
填充层,其形成于上述器件晶片的一面;以及
光分解层,其形成于上述填充层上的一部分,与上述保护层相接触,来使器件晶片与承载晶片临时接合。
3.根据权利要求1或2所述的叠层体,其特征在于,上述光分解层形成于上述填充层上的边缘部分。
4.根据权利要求3所述的叠层体,其特征在于,上述光分解层以5mm以下的宽度形成于上述填充层上的边缘部分。
5.根据权利要求1或2所述的叠层体,其特征在于,上述保护层包含固化型硅酮树脂。
6.根据权利要求1或2所述的叠层体,其特征在于,上述填充层包含氨基甲酸乙酯丙烯酸类树脂。
7.根据权利要求1或2所述的叠层体,其特征在于,上述填充层通过涂敷用光聚合性单体稀释的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物而成。
8.根据权利要求1或2所述的叠层体,其特征在于,上述填充层包含0.05~15重量%的光聚合引发剂。
9.根据权利要求1或2所述的叠层体,其特征在于,上述光分解层由包含吸光剂、分散溶剂以及粘结剂树脂的物质形成,并具有50~500gf/inch的粘合力。
10.根据权利要求9所述的叠层体,其特征在于,上述吸光剂包含碳黑、碳纳米管以及黑铅纳米粉末中的一种以上。
11.根据权利要求9所述的叠层体,其特征在于,上述分散溶剂包含甲基乙基甲酮、甲基异丁基甲酮、甲醇、乙醇、异丙醇、甲苯以及环己酮中的一种以上。
12.根据权利要求9所述的叠层体,其特征在于,上述粘结剂树脂包含丙烯酸类树脂、环氧类树脂以及聚氨基甲酸乙酯类树脂中的一种以上。
13.根据权利要求1或2所述的叠层体,其特征在于,上述器件晶片由包含硅的物质形成。
14.根据权利要求1或2所述的叠层体,其特征在于,上述承载晶片由包含玻璃以及丙烯酸类材料中的一种以上的物质形成。
15.一种叠层体的粘合及剥离处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤(a),在器件晶片的一面形成保护层;
步骤(b),在承载晶片的一面形成填充层;
步骤(c),在上述填充层上的一部分形成光分解层;
步骤(d),接合上述保护层和上述光分解层,来使上述器件晶片和上述承载晶片临时接合;以及
步骤(e),向上述光分解层照射激光,来使上述器件晶片和上述承载晶片分离。
16.一种叠层体的粘合及剥离处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤(a),在承载晶片的一面形成保护层;
步骤(b),在器件晶片的一面形成填充层;
步骤(c),在上述填充层上的一部分形成光分解层;
步骤(d),接合上述保护层和上述光分解层,来使上述器件晶片和上述承载晶片临时接合;
步骤(e),向上述光分解层照射激光,来使上述器件晶片和上述承载晶片分离。
17.根据权利要求15或16所述的叠层体的粘合及剥离处理方法,其特征在于,在上述步骤(c)中,在上述填充层上的边缘部分形成光分解层。
18.根据权利要求15所述的叠层体的粘合及剥离处理方法,其特征在于,在上述步骤(e)中,向上述承载晶片上的边缘部分照射激光,来向上述光分解层照射激光。
19.根据权利要求16所述的叠层体的粘合及剥离处理方法,其特征在于,在上述步骤(e)中,向上述器件晶片上的边缘部分照射激光,来向上述光分解层照射激光。
20.根据权利要求15或16所述的叠层体的粘合及剥离处理方法,其特征在于,在上述步骤(e)中,向上述光分解层照射上述激光,并将插入体插入在上述光分解层和上述保护层之间之后,分离上述器件晶片和上述承载晶片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造